Большая Советская Энциклопедия (ЭШ)
гомеостата
(1948).
Соч. в рус. пер.: Схема усилителя мыслительных способностей, в сборнике: Автоматы, М., 1956; Введение в кибернетику, М., 1959; Конструкция мозга. Происхождение адаптивного поведения, М., 1964; Кибернетика сегодня и её будущий вклад в технические науки, в кн.: Таубе М., Вычислительные машины и здравый смысл, М., 1964; Принципы самоорганизации, в сборнике: Принципы самоорганизации, М., 1966.
Ашвилл
.
дифракционная решетка
, способная концентрировать дифрагированное излучение в спектре одного порядка (см.
Порядок интерференции
), ослабляя остальные, в том числе и самый яркий спектр нулевого порядка. Изменения распределения излучения по спектрам и высокой концентрации энергии в узкой спектральной области достигают, вводя дополнительную
разность хода
в пределах каждого отдельного штриха, имеющего, как правило, треугольный профиль. Отражательные решётки типа Э. обычно нарезают специальными резцами на металлической поверхности (медь, латунь, алюминий) и используют для наблюдения спектров 5—10 порядков в инфракрасной области. Возможно также создание Э. для видимой и ультрафиолетовой спектральных областей.
Э. представляет собой систему одинаковых зеркальных площадок (
рис.
) шириной
а, плоскости которых параллельны одна другой и образуют с плоскостью заготовки угол
i. При падении на Э. параллельного пучка лучей на каждой зеркальной площадке происходит дифракция, как на узкой щели, и пучки, продифрагировавшие на всех площадках, интерферируют. Концентрация энергии излучения в заданном направлении происходит при выполнении следующих условий: 1) направление на нулевой максимум от отдельного зеркального элемента (штриха) совпадает
iс направлением на главный дифракционный максимум от всей решётки; 2) направление на спектр нулевого порядка всей решетки совпадает с направлением минимума при дифракции от отдельного зеркального элемента. Первое требование означает, что направление j из условия максимумов для отражательной решётки
d(siny + sinj) = nl должно совпадать с углом b = —a. Приняв во внимание правило знаков и учитывая соотношения вида j = i — a и y = i + a, получают выражение 2 cos (y —
i) sin
i= nld, позволяющее по заданному углу падения и длине волны l вычислить угол наклона зеркальной грани
i, называемый «углом блеска» и изменяющийся у современных Э. в пределах 5—20°. Второе требование означает, что для спектра нулевого порядка, т. е. при y = —j, рассматриваемое направление должно совпадать с направлением b из условия минимумов при дифракции от отд. зеркального элемента: a(sina + sinb) = kl. Учёт соотношения — b = y +
iдаёт выражение 2sin
icos
i= кl
/а, которое при известном профиле штриха i позволяет вычислить его ширину
а. Если условия 1-е и 2-е выполняются, максимум отражённой от решётки энергии располагается в направлении j = 2
i— y, совпадающем с направлением зеркального отражения от плоскости штриха. Отражательные решётки чаще всего используют в т. н. автоколлимационной схеме, для которой j = y =
i. Из условия максимумов для этого случая легко получить длину волны, которой соответствует максимум концентрации энергии: nl
max= 2
dsin
i. Область длин волн вблизи l
maxназывается областью высокой концентрации энергии в данном порядке спектра
n. Современные Э. в спектре одного порядка концентрируют до 70—80% энергии падающего излучения. Использование Э. позволяет создавать спектральные приборы, не уступающие по светосиле лучшим приборам с
дисперсионными призмами
. В СССР изготовляют Э. с числом штрихов от 600 на 1
ммдля видимой области до
0,
3штриха на 1
ммдля далёкой инфракрасной области (длины волн ~500
мкм). Размеры Э. от 100 х 100
мм(100—300 штрихов на
мм) до 300 х 300
ммдля Э. с 12 и менее штрихами на 1
мм.
Лит.:Пейсахсон И. В., Оптика спектральных приборов, Л., 1975; Нагибина И. М., Интерференция и дифракция света, Л., 1974; Калитеевский Н. И., Волновая оптика, М., 1971.
Л. Н. Капорский.
Схематическое изображение участка поверхности эшелетта и хода лучей, падающих на него и дифрагирующих на нём: а — ширина зеркальной грани штриха; d — постоянная эшелетта; N — нормаль к общей поверхности эшелетта; N' — нормаль к зеркальной грани штриха («угол блеска»); y — угол падения лучей на эшелетт; j — угол дифракции; a — угол падения лучей на зеркальную грань штриха; b — угол дифракции от зеркальной грани штриха.
Схематическое изображение участка поверхности эшелетта и хода лучей, падающих на него и дифрагирующих на нём: а — ширина зеркальной грани штриха; d — постоянная эшелетта; N — нормаль к общей поверхности эшелетта; N' — нормаль к зеркальной грани штриха («угол блеска»); y — угол падения лучей на эшелетт; j — угол дифракции; a — угол падения лучей на зеркальную грань штриха; b — угол дифракции от зеркальной грани штриха.