Штейна
)
.В 1823—73 изданием руководил Г. Пертц. В 1875 была создана центральная дирекция MGH. С 1946 публикацией ведает специальный институт под названием «MGH. Герм. институт по изучению средневековья» (центральная дирекция находится с 1948 в Мюнхене), отделения MGH имеются при АН ГДР и при Австрийской АН в Вене. Публикация состоит из пяти основных серий: I. Исторические писатели (лат. Scriptores, сокращенно SS); II. Законы (Leges, LL); III. Грамоты (королей и императоров) (Diplomata, DD); IV. Письма (Epistolae, Epp); V. Древности (Antiquitates, АА). В процессе работы появился ряд дополнений, а также переиздания, в том числе сокращённые для учебных целей (в пер. на немецкий язык — Geschichtsschreiber der deutschen Vorzeit, v. 1—103, 1847—1959). В подготовке публикаций приняли участие крупные учёные (Г. Вайц, В. Ваттенбах и др.).
электронно-дырочный переход.
матрица рассеяния.
отрицательным сопротивлением
(см.
рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется
N-oбразной формой (см.
Туннельный диод
,
Ганна диод
), другой — S-oбразной. S-п. реализуются различными способами. Первым S-п. был кристадин. К S-п. относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями
n- и
р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три
р—
n-перехода (см.
Электронно-дырочный переход
). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен
аи от десятков до нескольких сотен
ви выше. Др. распространённым S-п. является двухбазовый диод (однопереходный транзистор), у которого имеются 3 электрода и 2 цепи — эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи в эмиттерной цепи возникает S-xapakтеристика. S-xapakтеристику имеют также при определённых условиях лавинные
транзисторы
, Ганна диоды и лавинно-инжекционные
полупроводниковые диоды
. Наибольшее практическое применение получили четырёхслойные структуры; они используются в электротехнической промышленности, в силовой и преобразовательной технике (где они вытеснили громоздкие и ненадёжные
тиратроны
) и в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе которого создаются
релаксационные генераторы
и линии задержки. В перспективе — использование четырёхслойных структур и однопереходных транзисторов в микроэлектронике. Вводя в полупроводник примеси, создающие глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне, значительно повышают его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление восстанавливается (компенсируется), причём часто повышение проводимости полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нём в то время, как ток растет. Это и обусловливает S-oбразную вольтамперную характеристику. Известны S-п. на компенсированных Si, Ge, GaAs и др. материалах. В большинстве случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование тока имеет место (в пренебрежении собственными магнитными полями тока) только в S-п. Например, в S-диодах из Si, компенсированного кадмием, удалось наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от 400
мкмдо 80—100
мкм. Шнурование тока наблюдается в компенсированном Ge, четырёхслойных структурах и т. д. С увеличением тока шнур расширяется так, что плотность тока в нём остаётся постоянной. При этом шнур может занять всю площадь контакта, как бы велика она ни была. Шнур может перемещаться как целое (например, в магнитном поле), не меняя величины поперечного сечения. Обе особенности указывают на возможности практического использования S-п. для создания коммутаторов и переключателей тока высокой надёжности. S-п. имеют по крайней мере 2 устойчивых состояния. Это позволяет создавать на их основе нейристоры, представляющие собой электронную модель окончания нервной клетки —
аксона
. В S-п., созданных на основе компенсированного CaAs, наблюдается свечение при переходе прибора из высокоомного состояния в низкоомное. Т. е., S-п. может быть управляемым источником света. Находят применение также тетристоры. Возможно управление тетристорами при помощи падающего на них пучка света. Лит.:Лосев О. В., Детектор-генератор, детектор-усилитель, «Телефония и телеграфия без проводов», 1922, № 14; Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д., Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением, М., 1970; Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. ст., под ред. Я. А. Федотова, в. 19, М., 1968; то же, в. 25, М., 1971; Стафеев В. И., Модуляция длины диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов, «физика твердого тела», 1959, т. 1, в. 6; Волков А. Ф., Коган Ш. М., Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, «Успехи физических наук», 1968, т. 96, в. 1. Г. М. Авакьянц.
Рис. к ст.
S-приборы.
сенсуализма,означающий состояние сознания человека, ещё не располагающего вследствие отсутствия внешнего чувств, опыта каким-либо знаниями (например, новорождённый). Термин «Т. R.», появившийся ещё в античной философии (у Платона, Аристотеля, в стоицизме), встречается в различных значениях у Альберта фон Больштедта, Фомы Аквинского и др. Т. Гоббс и П. Гассенди сравнивали человеческое сознание с доской, на которую опыт наносит свои знаки. Широкую известность термин получил после Дж.
Локка,использовавшего его в своей критике теории
врождённых идей
(см. «Опыт о человеческом разуме», в книге: Избр. философские произведения, т. 1, М., 1960).
