Страница:
).
В высокочастотном электрическом поле E= E 0coswt, вследствие В. э. э., на поверхностях электродов наблюдается явление лавинообразного размножения электронов (вторично-электронный резонанс). Это явление открыто Х. Э. Фарнсуортом в 1934. Для возникновения резонанса необходимо, чтобы время между двумя последовательными соударениями электронов с поверхностями электродов ( рис. 6 , а) было равно нечётному числу полупериодов высокочастотного поля Е(условия синхронизма). При этом электроны могут приобрести в поле энергию, при которой s > 1. Размножение электронов происходит на поверхностях двух электродов, между которыми приложено высокочастотное электрическое поле, или на одной поверхности, помещённой в скрещенные электрическое и магнитное поля ( рис. 6 , б). Быстрое нарастание концентрации электронов ограничивается ростом пространственного заряда, что нарушает условие синхронизма. Явление вторичного электронного резонанса играет существенную роль в механизме возникновения плотного прикатодного объёмного заряда в магнетронах и амплитронах , а также в механизме работы динамических фотоэлектронных умножителей. С другой стороны, это явление может быть причиной нестабильной работы этих приборов и может ограничивать их выходную мощность.
Лит.:Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Брюининг Г., Физика и применение вторичной электронной эмиссии, пер. с англ., М., 1958; Браун С., Элементарные процессы в плазме газового разряда, М., 1961; Гавичев Д. А. [и др.], Исследование резонансного высокочастотного разряда в скрещенных полях, «Журнал технической физики», 1965, т. 35, с. 813.
А. Р. Шульман.
Рис. 5. Зависимость s, h и rот угла падения j первичных электронов для монокристаллов кремния; Е п= 1000 эв; пунктир — зависимость s (j) для плёнки кремния.
Рис. 6. Размножение электронов в высокочастотном электрическом поле (а) и в скрещенных электрическом Еи магнитном Нполях (б). Поле Нперпендикулярно плоскости чертежа; стрелками показаны траектории электронов.
Рис. 1. Распределение вторичных электронов по энергиям: I — упруго отражённые электроны, II — неупруго отражённые электроны, III — coбственно вторичные электроны; Е п— энергия первичных электронов.
Рис. 2. Вторичная электронная эмиссия на отражение (а) и на прострел (б).
Рис. 4. Зависимость коэффициентов s и h от энергии первичных электронов Е пдля некоторых металлов.
Рис. 3. Зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии s от энергии первичных электронов Е п.
полухордовых
,
иглокожих
и
хордовых
. Термин введён в классификацию животных немецким зоологом К. Гроббеном (1908). У В., в отличие от
первичноротых
, в период зародышевого развития ротовое отверстие образуется заново, независимо от первичного рта, или
бластопора
(последний обычно преобразуется в заднепроходное отверстие); имеется вторичная полость тела (
целом
), развивающаяся из выпячиваний кишечника; скелет внутренний, мезодермального происхождения; нервная система закладывается в виде эктодермальной пластинки, впячивающейся под кожу; биохимия мышечного сокращения характеризуется образованием креатинфосфорной кислоты. К В., кроме того, относят в виде добавления типы
щетинкочелюстных
(Chaetognatha) и
погонофор
(Pogonophora).
В высокочастотном электрическом поле E= E 0coswt, вследствие В. э. э., на поверхностях электродов наблюдается явление лавинообразного размножения электронов (вторично-электронный резонанс). Это явление открыто Х. Э. Фарнсуортом в 1934. Для возникновения резонанса необходимо, чтобы время между двумя последовательными соударениями электронов с поверхностями электродов ( рис. 6 , а) было равно нечётному числу полупериодов высокочастотного поля Е(условия синхронизма). При этом электроны могут приобрести в поле энергию, при которой s > 1. Размножение электронов происходит на поверхностях двух электродов, между которыми приложено высокочастотное электрическое поле, или на одной поверхности, помещённой в скрещенные электрическое и магнитное поля ( рис. 6 , б). Быстрое нарастание концентрации электронов ограничивается ростом пространственного заряда, что нарушает условие синхронизма. Явление вторичного электронного резонанса играет существенную роль в механизме возникновения плотного прикатодного объёмного заряда в магнетронах и амплитронах , а также в механизме работы динамических фотоэлектронных умножителей. С другой стороны, это явление может быть причиной нестабильной работы этих приборов и может ограничивать их выходную мощность.
Лит.:Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Брюининг Г., Физика и применение вторичной электронной эмиссии, пер. с англ., М., 1958; Браун С., Элементарные процессы в плазме газового разряда, М., 1961; Гавичев Д. А. [и др.], Исследование резонансного высокочастотного разряда в скрещенных полях, «Журнал технической физики», 1965, т. 35, с. 813.
А. Р. Шульман.
Рис. 5. Зависимость s, h и rот угла падения j первичных электронов для монокристаллов кремния; Е п= 1000 эв; пунктир — зависимость s (j) для плёнки кремния.
Рис. 6. Размножение электронов в высокочастотном электрическом поле (а) и в скрещенных электрическом Еи магнитном Нполях (б). Поле Нперпендикулярно плоскости чертежа; стрелками показаны траектории электронов.
Рис. 1. Распределение вторичных электронов по энергиям: I — упруго отражённые электроны, II — неупруго отражённые электроны, III — coбственно вторичные электроны; Е п— энергия первичных электронов.
Рис. 2. Вторичная электронная эмиссия на отражение (а) и на прострел (б).
Рис. 4. Зависимость коэффициентов s и h от энергии первичных электронов Е пдля некоторых металлов.
Рис. 3. Зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии s от энергии первичных электронов Е п.