Плаксин Игорь Николаевич
Пла'ксинИгорь Николаевич [25.9(8.10).1900, Уфа,- 15.3.1967, Москва], советский учёный в области металлургии и горного дела, член-корреспондент АН СССР (1946). Член КПСС с 1945. После окончания Дальневосточного университета (1926) работал в лаборатории Н. С. в Химическом институте АН СССР (Ленинград), в 1928-30 - в Московской горной академии, с 1930 - в Московском институте цветных металлов и золота (заведующий кафедрой металлургии благородных металлов, заместитель директора). Одновременно был заместителем директора Всесоюзного института механической обработки и обогащения руд (1941-43), с 1944 руководил отделом обогащения полезных ископаемых института горного дела АН СССР. Основные труды по теории и технологии гидрометаллургических процессов, обогащению полезных ископаемых и истории металлургии. Создал современные научные основы и извлечения благородных металлов из руд, теоретически обосновал процесс ,предложил эффективный способ интенсификации процесса .Государственная премия СССР (1951, 1952). Награжден орденом Ленина, орденом Трудового Красного Знамени и медалями.
Соч.: Гидрометаллургия, М., 1949 (совм. с Д. М. Юхтановым); Металлургия благородных металлов, М., 1958; Флотация, М., 1961 (совм. с В. А. Глембоцким и В. И. Классеном); Гидрометаллургия с применением ионитов, М., 1964 (совм. с С. А. Тэтару).
Лит.:Игорь Николаевич Плаксин, М.,1962 (Материалы к биобиблиографии ученых СССР. Серия технических наук. Горное дело, в. 10).
А. С. Федоров.
Плакун-трава
Плаку'н-трава',дербенник иволистный, многолетнее травянистое растение из рода .
План (в архитектуре)
Планв архитектуре, 1) выполненное в определённом масштабе графическое изображение горизонтальной проекции здания (или одного из его этажей или помещений) или комплекса зданий, населённого пункта в целом или отдельных его частей. На П., в зависимости от его назначения, могут быть указаны конструкции стен и опор, расстановка мебели в интерьерах, расположение оборудования и схема технологического процесса в производственных помещениях, озеленение территории и схема транспортной сети в городе и др. План обычно характеризует форму и конфигурацию сооружения. 2) Характеристика расположения основных частей здания или ансамбля на уровне земли (в многоэтажных зданиях и в комплексах, размещенных на сложном рельефе,- на разных уровнях).
План выражения
План выраже'ния,лингвистический термин, употребляемый в ,но используемый языковедами др. школ для обозначения определённым образом организованной области материальных средств, служащих для передачи языковых сообщений. Противополагается плану содержания, под которым понимается «мир мысли», воплощаемый в языке, т. е. организованная определённым образом область всего того, что может быть предметом языкового сообщения. Глоссематика выделяет в каждом из планов форму и субстанцию, членя язык на 4 сферы (стратума): форма выражения, субстанция выражения, форма содержания, субстанция содержания. Форма обоих планов специфична для каждого языка и не зависит от той субстанции, в которой она проявляется. Субстанция каждого из планов определяется через понятия формы (сети отношений между элементами данного плана) и материала (некоторой нерасчленённой, но поддающейся членению аморфной массы звуков и т.п. и идей) и трактуется как материал, расчленённый посредством формы. Обычно термин «П. в.» применяется к области звуковых явлений, т.к. для концепций, отличных от глоссематики, основным объектом лингвистики является устная разновидность естественного языка. Напротив, в глоссематической теории подчёркивается равноправность фонетической, графической (для письменного языка) или любой иной субстанции выражения, в которой может манифестироваться форма выражения, оставаясь тождественной самой себе. Одной из основных идей глоссематики является тезис об .Вместе с тем утверждается их неконформальность, выражающаяся в том, что и в том и в другом языковых планах наряду с и выделяются их элементы, не соотносимые однозначным образом с сущностями противоположного плана (т. н. фигуры выражения и содержания). Именно это определяет целесообразность членения естественного языка на П. в. и план содержания, тогда как для др. семиотических систем, в инвентарь которых не входят незнаковые единицы, подобное членение не является необходимым.
Лит.:Ельмслев Л., Пролегомены к теории языка, в кн.: Новое в лингвистике, в. 1, М., 1960; Мартине А., О книге «Основы лингвистической теории» Луи Ельмслева, там же; [Мурат В. П.], Глоссематическая теория, в кн.: Основные направления структурализма, М., 1964; Апресян Ю. Д., Идеи и методы современной структурной лингвистики, М., 1966.
Т. В. Булыгина.
План Ельес Хуан Хуанович
Планелье'сХуан Хуанович (8.4.1900, Херес, Испания,- 25.8.1972, Москва), микробиолог и фармаколог, академик АМН СССР (1969; член-корреспондент 1953); член-корреспондент Академии медицины Испании. По национальности испанец. Окончил лечебный факультет Мадридского университета (1921). В 1926-36 научный руководитель одного из испанских медико-фармацевтических предприятий и директор (с 1930) института клинических исследований в Мадриде. В 1936-39 начальник санитарно-медицинской службы центральной республиканской армии, затем статс-секретарь здравоохранения Испанской Республики. С 1939 - в СССР; с 1943 в институте эпидемиологии и микробиологии им. Н. Ф. Гамалеи АМН СССР. Основные труды по биологии стандартизации фармацевтических и биопрепаратов, сульфаниламидам, лекарственной устойчивости микробов и др. Награжден 2 орденами, а также медалями.
Соч.: О теориях химиотерапевтического действия, «Журнал микробиологии, эпидемиологии и иммунобиологии», 1952, № 7; В. К. Высокович. 1854-1912, М., 1953; Побочные явления при антибиотикотерапии бактериальных инфекций, 2 изд., М., 1965 (совм. с А. М. Харитоновой); Серотонин и его значение в инфекционной патологии, М., 1965 (совм. с З. А. Попененковой).
Е. К. Пономарь.
План (кинематографич.)
Планкинематографический, расположение в пространстве и масштаб изображения объекта в .По положению объекта различают: первый, второй и дальний П., по масштабу - крупный, средний и общий. Смена П.- основная форма построения изобразительно-монтажной композиции сцен и эпизодов фильма.
План народнохозяйственный
План народнохозя'йственный,см. .
План содержания
План содержа'ния,лингвистический термин, употребляемый в ,под которым понимается организованная определённым образом область всего того, что может быть предметом языкового сообщения; противополагается .
Лит.см. при ст. .
План счетов
План счето'в,счётный план, система бухгалтерских счетов, предусматривающая их количество, группировку и цифровое обозначение в зависимости от объектов и целей учёта. В П. с. включаются синтетические (счета первого порядка) и связанные с ними аналитические счета ( ,или счета второго порядка). Каждому из них даётся краткое наименование, точно соответствующее объекту учёта. Основой построения П. с. служит группировка объектов учёта по их экономическим признакам (например, счета для учёта основных средств, предметов труда; затрат на производство; готовой продукции, товаров и реализации; финансовых средств, фондов и финансовых результатов и др.). Счета располагаются в последовательности, позволяющей взаимосвязанно отражать в бухгалтерском учёте ресурсы хозяйства и их источники, особенности их участия в кругообороте средств предприятий и организаций в процессе производства, распределения и использования общественного продукта. В целях ускорения и облегчения учётных записей счетам первого порядка присваивается условный шифр, а субсчетам - порядковый номер в пределах каждого синтетического счёта. Инструкция по применению П. с. содержит краткую характеристику объектов учёта по каждому счёту и назначения счетов, общую схему их корреспонденции, показывающую типичные бухгалтерские записи по счетам, взаимосвязанным единством хозяйственных процессов и операций.
Единые П. с. (с учётом особенностей отраслей народного хозяйства) используются только в социалистических странах. Для капиталистических стран характерно большое разнообразие ,где применение той или иной номенклатуры определяется собственниками предприятий. В СССР для обеспечения единства и полноты бухгалтерского учёта во всех отраслях народного хозяйства типовые П. с. отдельных отраслей утверждаются министерством финансов СССР по согласованию с ЦСУ СССР. П. с. бухгалтерского учёта для колхозов устанавливают ЦСУ и министерство сельского хозяйства СССР.
П. с. бюджетных и финансово-кредитных учреждений имеют свои особенности, определяемые спецификой деятельности этих организаций.
План (чертёж)
План(от лат. planum - плоскость), 1) чертёж, изображающий в условных знаках на плоскости (в масштабе 1:10000 и крупнее) часть земной поверхности (топографический П.). 2) Горизонтальный разрез или вид сверху какого-либо сооружения или предмета (см., например, в архитектуре). 3) То же, что горизонтальная проекция (см. ) .4) Заранее намеченный порядок, последовательность осуществления какой-либо программы, выполнения работы, проведения мероприятий (например, народнохозяйственный, производственный, стратегический, учебный П., см. ) .5) Замысел, проект, основные черты какой-либо работы, изложения (П. доклада, пьесы и т.п.). 6) Способ рассмотрения, построения, подхода к чему-либо (в теоретическом П., в двух П. и т.п.). 7) Размещение объектов на изображении (передний, средний, задний П.) и их размеров (крупный, мелкий П., см., например, кинематографический).
Планарии
Плана'рии,группа беспозвоночных из подотряда Tricladida класса .П. отличаются крупными размерами (длина тела до 35 см) .Распространены по всему земному шару. Обитают в пресных водах, реже - в морях, а в тропиках - и на почве. Питаются мелкими беспозвоночными. Рыбы планарий не едят, т.к. в их коже имеются ядовитые железы.
Планарная технология
Плана'рная техноло'гия,планарный процесс (англ. planar, от лат. planus - плоский, ровный), первоначально - совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с ,границы которых выходят на одну и ту же плоскую поверхность ПП пластины и находятся под слоем защитного диэлектрического покрытия; в современном, более широком смысле - совокупность технологических операций, проводимых для получения практически любых ПП приборов и ,в том числе и таких, у которых границы электронно-дырочных переходов не выходят на одну плоскую поверхность. Термины «П. т.» и «планарный прибор» появились в 1959, когда американской фирмой «Фэрчайлд» (Fairchild) были созданы первые планарные кремниевые транзисторы.
Основные технологические операции при изготовлении классического планарного кремниевого транзистора с n-p-n-переходами выполняются в следующей последовательности. На отшлифованной, а затем отполированной, тщательно очищенной плоской поверхности пластины из монокристаллического кремния с электропроводностью n-типа ( рис. , а) термическим окислением в сухом или влажном кислороде создают слой двуокиси кремния (SiO 2) толщиной от нескольких десятых до 1,0-1,5 мкм( рис. , б) .Далее производят фотолитографическую обработку этого слоя (см. ) :на окисленную поверхность кремния наносят слой ,чувствительного к ультрафиолетовому излучению; пластину с высушенным слоем фоторезиста помещают под шаблон - стеклянную пластину с рисунком, в заданных местах прозрачным для ультрафиолетового излучения; после обработки излучением фоторезист в тех местах, под которыми должен сохраняться слой SiO 2, полимеризуют (задубливают), с остальной части пластины фоторезист снимают и удаляют травлением обнажившийся слой SiO 2, после чего снимают оставшийся фоторезист ( рис. , в). Затем в участки, где нет плёнки окисла, проводят бора (акцепторной примеси) для создания в материале исходной пластины (коллекторная область) базовой области с электропроводностью р-типа. Т. к. диффузия одновременно идёт и перпендикулярно поверхности пластины, и параллельно ей, т. е. под края окисной плёнки, то границы электронно-дырочного перехода между коллекторной и базовой областями, выходящие на поверхность пластины, оказываются закрытыми слоем SiO 2( рис. , г). После проведения диффузии бора (или одновременно) поверхность пластины повторно подвергают окислению и повторно производят фотолитографическую обработку ( рис. , д) с целью создания эмиттерной области с электропроводностью n-типа диффузией фосфора (донорной примеси) в заданные участки базовой области. При этом границы электронно-дырочных переходов между эмиттерной и базовой областями оказываются также закрытыми слоем SiO 2( рис. , е). После диффузии доноров или одновременно с ней проводят третье окисление и над эмиттерной областью создают слой чистой SiO 2или фосфорно-силикатного стекла. Затем производят последнюю фотолитографическую обработку и вытравливают над эмиттерной и базовой областями в плёнке окисла отверстия для контактов к этим областям ( рис. , ж) .Контакты создают нанесением тонкой металлической плёнки (обычно Al; рис. , з). Контакт к коллекторной области осуществляют путём металлизации нижней поверхности исходной пластины. Пластину кремния разрезают на отдельные кристаллы, каждый из которых имеет транзисторную структуру. Наконец, каждый кристалл помещают в корпус и герметизируют последний.
По мере своего развития П. т. включила в себя ряд новых процессов. В качестве материала защитных плёнок используют не только SiO 2, но и нитрид кремния, оксинитрид кремния и др. вещества. Для их создания применяют пиролиз, реактивное (в кислородной среде) распыление кремния и др. процессы. Для селективного удаления защитной диэлектрической плёнки, помимо обычной оптической фотолитографии, применяется обработка электронным лучом (т. н. электронолитография). Для легирования кремния, кроме диффузии, используют донорных и акцепторных примесей. Получило распространение сочетание методов П. т. с технологией эпитаксиального выращивания (см. ) .В результате такого сочетания создан широкий класс разнообразных планарно-эпитаксиальных ПП приборов. Появилась возможность получать стойкие защитные диэлектрические плёнки не только на кремнии, но и на других ПП материалах. В результате были созданы планарные ПП приборы на основе германия и арсенида галлия. В качестве легирующих примесей в П. т. используют не только бор и фосфор, но также др. элементы третьей и пятой групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева.
Главное достоинство П. т., послужившее причиной её распространения в ,заключается в возможности использования её как метода группового изготовления ПП приборов, что повышает производительность труда и процент выхода годных приборов, позволяет уменьшить разброс их параметров. Применение в П. т. таких прецизионных процессов, как фотолитография, диффузия, ионное внедрение, даёт возможность очень точно задавать размеры и свойства легируемых областей и в результате получать параметры и их сочетания, недостижимые при др. методах изготовления ПП приборов. Защитные диэлектрические плёнки, закрывающие выход электронно-дырочных переходов на поверхность ПП материала, позволяют создавать приборы со стабильными характеристиками, мало меняющимися во времени. Этому способствует также ряд специальных мер: поверхность пластин перед нанесением защитной плёнки тщательно очищают, при создании защитных плёнок используют особо чистые исходные вещества (например, бидистиллированную воду, которая после последней дистилляции не контактирует с внешней средой) и т.д.
Лит.:Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я. А. Федотова, М., 1973; Мазель Е. З., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974.
Е. З. Мазель.
Стадии изготовления планарного транзистора: а - исходная пластина; б - после первого окисления; в - после первой фотолитографической обработки; г - после создания базовой области и второго окисления; д - после второй фотолитографической обработки; е - после создания эмиттерной области и третьего окисления; ж - после третьей фотолитографической обработки; з - после металлизации; 1 - исходный кремний с электропроводностью n-типа; 2 - маскирующая плёнка двуокиси кремния; 3 - базовая область; 4 - эмиттерная область; 5 - металлическая плёнка (контакты).
Планарный процесс
Плана'рный проце'сс,совокупность технологических операций, более точно характеризуемая термином .
Планация
Плана'ция(от лат. planum - плоскость, равнина), выравнивание рельефа совместными процессами и в условиях относительно спокойного тектонического режима территории. Итогом П. является пологоволнистая равнина - в гумидном климате и в условиях аридного климата.
Планёр
Планёр(франц. planeur, от planer - парить), безмоторный летательный аппарат тяжелее воздуха. Движется поступательно под действием собственного веса. Его полёт в спокойной атмосфере происходит с постоянным снижением под некоторым углом к горизонту (углом планирования) и основан на тех же физических законах, что и полёт самолёта. При наличии в атмосфере восходящих потоков воздуха становится возможным полёт П. без потери высоты или с её набором - .Современные П. различают: по числу мест - одно-, двух- и многоместные; по назначению - учебные, тренировочные и рекордные (спортивные). Одноместные рекордные П. бывают стандартного (с размахом крыла до 15 м) и открытого (без ограничения размаха) классов.
Первый П. был построен и испытан французским моряком Ж. Ле Бри в 1868. Используя для запуска буксируемую лошадью тележку, на которой располагался П., он сумел осуществить планирующие полёты на расстояние до 30 м.В конце 19 - начале 20 вв. было совершено большое число кратковременных планирующих спусков с холмов, благодаря которым человек научился управлять полётом П. В 1891-96 немецкий инженер О. первый провёл большое число успешных планирующих полётов на расстояние до 250 мна т. н. балансирных П. Управление такими П. сводилось к перемещению центра тяжести аппарата путём отклонения тела лётчика в нужную сторону. Последователями О. Лилиенталя стали в Великобритании инженер П. Пилчер, в США инженер О. Шанют и братья О. и У . .Успешные полёты на П. братьев Райт в 1901-03 позволили им построить ,представлявший собой несколько увеличенную копию их П.; на нём они впервые совершили полёт в 1903. Начиная примерно с 1908 полёты на балансирных П. становятся распространёнными. Позже баланс был заменен управлением рулями - такими же, как и на самолётах. В 1913 в Крыму русский конструктор С. П. Добровольский впервые в России совершил парящие полёты продолжительностью ~ 5 минна П.-биплане, который имел систему рулевого управления; в нём лётчик находился в сидячем положении.
В СССР планёростроение получило размах в 20-30-е гг.; конструкторами были К. К. Арцеулов, Г. Ф. Грошев, В. И. Емельянов, С. В. , Б. Н. Шереметев, А. С. и многие др. В период 2-й мировой войны 1939-45 в СССР, США, Великобритании, Германии, Японии строились многоместные десантные буксирные П. для переброски солдат и техники через линию фронта. На фронтах Великой Отечественной войны 1941-45 применяли 7-местный десантный П. А-7 конструкции О. К. и 11-местный Гр-29 конструкции В. К. Грибовского. Первым в мире десантным буксирным П. был построенный в 1932 в Москве 18-местный П. «Яков Алкснис» конструкции Б. Д. Урлапова.
В начале 70-х гг. 20 в. П. (спортивного назначения) и методы полётов на них были значительно усовершенствованы, что позволило выполнить рекордные полёты на высоте до 14 км,дальностью свыше 1000 км(см. ) .Известными конструкторами современных П. являются: в СССР - О. К. Антонов, конструкторский коллектив Казанского авиационного института, Б. О. Карвялис, Б. И. Ошкинис, В. Ф. Спивак и др.; в Польше - А. Курбиль, В. Окармус; в ФРГ - Г. Вейбель, К. Холингхаус.
П. 20-х гг. имели деревянную конструкцию ( рис. 1 ). По своему внешнему виду, размерам, принципу управления и размещению лётчика они мало чем отличались от самолётов тех лет, однако их масса была значительно меньше. В дальнейшем конструкция П. претерпела существенные изменения, которые привели к увеличению аэродинамического качества П. (отношения подъёмной силы крыла к полной силе лобового сопротивления) и удлинения крыла (отношения размаха крыла к его ширине), а также к уменьшению минимальной скорости снижения П. (до 0,5 м/сек) .Стал применяться ламинаризированный профиль крыла с характерной изогнутостью в хвостовой его части. Благодаря тому, что лётчик стал располагаться в кабине в полулежачем положении ногами вперёд, а кабину лётчика закрыли прозрачным «фонарём», не выступающим за контур фюзеляжа, резко уменьшилось максимальное сечение фюзеляжа (мидель). Было применено одноколёсное шасси, убирающееся в полёте ( рис. 2 ). Основными конструкционными материалами для современного П. служат дюралюминий и стеклопластик, дерево применяется значительно реже.
Запуск П. осуществляется различными способами. В 30-х гг. для этого использовали резиновый шнур, и П. запускался, как камень из рогатки. Начиная с 1931 советские планеристы освоили старт с помощью буксировки П. за самолётом. С тех пор такой старт (как правило, до высоты 600 м) сделался обычным для спортивных П. Основным способом взлёта П. без помощи самолёта стал автостарт - подъём посредством стального троса и лебёдки с приводом от двигателя внутреннего сгорания (высота подъёма 200-300 м) .В 60-х гг. получили распространение также П. с мотором - мотопланёры, осуществляющие самостоятельный взлёт.
Основные лётно-технические характеристики современного П. имеют следующие значения: наибольшее аэродинамическое качество 40-53; размах крыла до 29 м,удлинение крыла 20-36; нагрузка на крыло 250-350 н/м 2;скорость снижения 0,4-0,8 м/сек;скорость полёта (при наибольшем аэродинамическом качестве) 80-100 км/ч;максимально допустимая скорость полёта 220-250 км/ч.
Лит.:Пьецух А. И., Крылья молодежи, М., 1954; Шереметев Б. Н., Планеры, М., 1959; Костенко И. К., Сидоров О. А., Шереметев Б. Н., Зарубежные планеры, М., 1959; Замятин В. М., Планеры и планеризм, М., 1974 (лит.); Keedus Ь., Purilend, Tallinn, 1962; Skarbinski A., Stafiej W., Projektowanie i konstrukcja szybowcow, Warsz., 1965; Podrcznik pilota szybowcowego, Warsz., 1967.
И. К. Костенко.
Рис. 1. Планёр А-5 конструкции К. К. Арцеулова. 1923.
Рис. 2. Планёр БК-7 «Летува» конструкции Б. О. Карвялиса. 1972.
Планёрный спорт
Планёрный спорт,один из видов авиационного спорта, включающий соревнования на -безмоторных летательных аппаратах тяжелее воздуха. В современную программу П. с. входят полёты: скоростные по треугольным маршрутам на 100, 200, 300 и 500 км;в цель с возвращением на старт; с посадкой в конечном пункте маршрута; на т. н. открытую дальность и на дальность с проходом одного или двух поворотных пунктов. Соревнования проводятся на планёрах стандартного (размер крыла до 15 м) и открытого (конструкция без ограничений) классов.
Зарождение П. с. относится к концу 19 - началу 20 вв. В России первые кружки планеристов созданы в 1900-х гг. в Москве (Н. Е. Жуковский), Тбилиси (А. В. Шиуков), Киеве (Н. Б. Делоне, Г. П. Адлер и др.), Петербурге (Н. А. Рынин, В. А. Лебедев и др.), в Крыму (К. К. Арцеулов). С планеризмом связано начало творческой деятельности таких учёных и авиаконструкторов, как А. Н. Туполев, Б. Н. Юрьев, В. П. Ветчинкин, С. П. Королев, С. В. Ильюшин, А. С. Яковлев, О. К. Антонов и др. Массовое развитие П. с. в СССР началось с 1923, когда состоялись первые всесоюзные планёрные испытания (Крым, Коктебель, ныне Планёрское), на которых Л. А. Юнгмейстер установил первые рекорды страны (на планёре конструкции Арцеулова). Становление и развитие П. с. связаны с деятельностью общества друзей воздушного флота, Осоавиахима (впоследствии ДОСААФ СССР). В 1934 Осоавиахимом учреждено звание мастера П. с. СССР; в числе первых мастеров П. с.- Л. Г. Минов, С. Н. Анохин, И. М. Сухомлин, В. Л. Лисицын, В. М. Ильченко, В. Л. Расторгуев, М. К. Раценская, И. А. Карташов, А. В. Степанчонок. В разных районах страны были открыты планёрные станции, школы, организованы кружки планеристов. К 1941 советским планеристам принадлежало 13 мировых рекордов (из 18, регистрировавшихся Международной авиационной федерацией - ФАИ). В 1948 создана всесоюзная секция П. с. (в 1960 вошла в состав Федерации авиационного спорта СССР), с 1966 самостоятельная федерация П. с. В 1949 П. с. включен в Единую всесоюзную спортивную классификацию. В 1923-74 состоялось 36 чемпионатов СССР по П. с. Среди абсолютных чемпионов СССР и рекордсменов мира - М. М. Веретенников, А. П. Самосадова, В. В. Гончаренко, В. И. Чувиков, Е. Г. Руденский, М. И. Африканова, О. А. Манафова, Э. В. Лаан, С. П. Судейките, В. Ю. Панафутин и др. В 1964 в Орле открыт Центральный спортивно-планёрный клуб ДОСААФ СССР.