TheLib.Ru » Энциклопедии » БСЭ » Большая Советская Энциклопедия (ТИ) » онлайн-чтение (стр. 14)

 

 

дефиса.

гликопротеид ) ,вырабатываемый фолликулами щитовидной (тиреоидной) железы; непосредственный предшественник тиреоидных гормонов.Углеводная и белковая части Т. синтезируются в рибосомальной фракции тиреоидного эпителия. Последующее иодирование остатков аминокислоты тирозина,входящих в молекулу Т., приводит к образованию тироксина и трииодтиронина,которые освобождаются в кровь в результате отщепления от Т. под действием протеолитических ферментов щитовидной железы. Способность клеток иодировать Т. наступает вслед за появлением в железе эндоплазматической сети,образованием фолликулов и секрецией гипофизом тиреотропного гормона.

трииодтиронин и тироксин.Стандартизован по содержанию йода (0,17— 0,23%). Применяется в порошках и таблетках при недостаточной функции щитовидной железы ( микседема, кретинизми др.) и при тиреоидите.

аутоиммунные заболевания.Проявляется болезненностью при глотании и движении головы назад, пульсирующей болью в ушах, нижней челюсти, повышением температуры тела, увеличением размеров шеи, болезненностью регионарных лимфатических узлов. Течение Т. может быть острым, подострым и хроническим. Лечение: противовоспалительные и обезболивающие средства, антибиотики, кортикостероиды, тиреоидин, витамины; при гнойном Т. — хирургическое.

трииодтиронин и тироксин,вырабатываемые щитовидной железой. Образуются из аминокислоты тирозина и йода. Оказывают многообразное действие на организм. Синтез и поступление Т. г. в кровь регулируются центральной нервной системой.

гомеостаз и рост костной ткани. Это важно в периоды жизни особи, связанные с повышенной потребностью в Ca 2+(рост костей у молодых животных, беременность и лактация у млекопитающих, откладывание яиц у птиц). Под влиянием Т. усиливается выделение фосфатов с мочой. Регуляцию содержания Ca 2+и фосфатов в организме Т. осуществляет во взаимодействии с паратиреоидным гормоном,который стимулирует высвобождение Ca 2+из костной ткани во внеклеточную жидкость.
     Лит.:Алешин Б. В., Новые данные о тиреокальцитонине, «Успехи современной биологии», 1970, т. 69, в. 1; Современные вопросы эндокринологии. Сб. ст., в. 4, М., 1972; Symposium on thyrocalcitonin, «American Journal of Medicine», 1967, v. 43, № 5; Hirsch P. F., Munson P. L., Thyrocalcitonin, «Physiological Reviews», 1969, v. 49, №3.
      И. В. Крюкова.

Зоб диффузный токсический.

щитовидной железы.По химической природе Т. — сложный белок ( гликопротеид ) с молекулярной массой 28000—30 000. Т. г. стимулирует расщепление белка тиреоглобулина в фолликулах щитовидной железы и выделение в кровь активных тиреоидных гормонов — тироксина и трииодтиронина;он способствует увеличению фолликулярных клеток, поглощению йода и синтезу тироксина. Механизм действия Т. г., как и ряда др. гормонов, связан с его способностью активизировать синтез циклического аденозинмонофосфата (цАМФ), который активирует расщепление тиреоглобулина. Синтез и секреция Т. г. контролируются центральной нервной системой и в первую очередь гипоталамусом с помощью выделяемого им специального рилизинг-гормона , или тиротропин-рилизингфактора. При повышении в крови содержания тиреоидных гормонов они по принципу отрицательной обратной связи тормозят секрецию Т. г. путём воздействия как на гипоталамические центры его регуляции, так и непосредственно на гипофиз; в результате секреция тироксина и трииодтиронина уменьшается. Адреналин и кортикостероиды также подавляют секрецию Т. г., чем объясняется понижение активности щитовидной железы при различных стрессовых реакциях (кроме холодового стресса). См. также Адаптационный синдром, Нейросекреция.
      И. В. Крюкова.

ахейцев.Время расцвета Т. приходится на 16—13 вв., когда на акрополе был выстроен большой царский дворец, украшенный фресками. Около 1400 акрополь Т. был обнесён мощными каменными стенами, так называемыми циклопическими, упомянутыми в «Илиаде» (II, 559) и описанными позднее Павсанием («Описание Эллады», II, 25). Укрепленные башнями стены Т. местами достигали 10 мтолщины и имели внутри кладовые для оружия и др. Из крепости Т. подземный ход вёл к подземному источнику. Среди царей Т. особенно прославился Диомед (около 1240), согласно греческой традиции принимавший участие в походе на Трою.В 12 в., при вторжении дорийцев,акрополь Т. в результате пожара был опустошён, жизнь продолжалась в лежавшем вокруг акрополя нижнем городе. В 1-м тысячелетии до н. э. Т. оставался небольшим полисом. Около 470 до н. э. Т. был окончательно разрушен аргосцами.
     Археологические исследование Т. началось с 1831; наиболее значительные результаты дали раскопки В. Дёрпфельда (в 1884—85), немецких археологов Г. Каро и К. Мюллера (в 1912—38, с перерывами), греческого археолога Н. Верделиса (в 60-х гг. 20 в.).
     Лит.:Блаватская Т. В., Ахейская Греция во втором тысячелетии до н. э., М., 1966; Tiryns. Die Ergebnisse des Ausgrabungen des Institute, Bd I—6, Athen—Augsburg— Mainz am Rhein, 1912—73.
      Г. В. Блаватская.

резистор ) ,полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с четырёхслойной структурой р—n—p—n-типа, обладающий свойствами вентиля электрического и имеющий нелинейную разрывную вольтамперную характеристику (ВАХ). С крайними слоями (областями) монокристалла контактируют силовые электроды (СЭ) — анод и катод, от одного из промежуточных слоев делают вывод электрода управления (УЭ).
     К СЭ подсоединяют токоподводы силовой цепи и устройства теплоотвода. В случае, когда к СЭ прикладывается напряжение прямой полярности U np(как указано на рис. 1 ), первый (П 1) и третий (П 3) электронно-дырочные переходы смещаются в прямом направлении, а второй (П 2) — в обратном. Через переходы П 1и П 3в области, примыкающие к переходу П 2, инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода П 2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через Т. сначала растет медленно, что соответствует участку ОА на ВАХ ( рис. 2 ). В этом режиме Т. можно считать запертым, так как сопротивление перехода П 2всё ещё очень велико (при этом напряжения на переходах П 1и П 3малы, и почти всё приложенное напряжение падает на переходе П 2). По мере увеличения напряжения на Т. снижается доля напряжения, падающего на П 2, и быстрее возрастают напряжения на П 1и П 2, что вызывает дальнейшее увеличение тока через Т. и усиление инжекции неосновных носителей в область П 3. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен в), называется напряжением переключения U пер(точка А на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, Т. переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи (точка В на ВАХ).
     Процесс скачкообразного переключения Т. из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью можно объяснить, рассматривая Т. как комбинацию двух транзисторов (T 1и Т 2), включенных навстречу друг другу ( рис. 3 ). Крайние области монокристалла являются эмиттерами ( р-слой называется анодным эмиттером, n-слой — катодным), а средние — коллектором одного и одновременно базой др. транзистора. Ток i, протекающий во внешней цепи Т., является током первого эмиттера i э1 и током второго эмиттера i э2. Вместе с тем этот ток складывается из двух коллекторных токов i к1и i к2, равных соответственно a 1 i э1и a 2 i э2, где «a 1и a 2— коэффициенты передачи эмиттерного тока транзисторов T 1и Т 2; кроме того, в его состав входит ток коллекторного перехода i кo(так называемый обратный ток). Таким образом i= a 1 i э1+ a 2 i э2+ i кo. С учётом i э1= i э2= iимеем  . При малых токах a 1и a 2значительно меньше 1 (и их сумма также меньше 1). С увеличением тока a 1и a 2растут, что ведёт к возрастанию i.Когда он достигает значения, называется током включения I вк ,сумма a 1+a 2становится приблизительно равной 1, и ток скачком возрастает до величины, ограничиваемой сопротивлением нагрузки (точка В на рис. 2 ). Всякий Т. характеризуется предельно допустимым значением прямого тока I пред(точка Г на рис. 2 ), при котором на приборе будет небольшое остаточное напряжение U ocт. Если же уменьшать ток через Т., то при некотором его значении, называется удерживающим током I yд(точка Б на рис. 2 ), Т. запирается — переходит в состояние с низкой проводимостью, соответствующее участку ОА на ВАХ. При напряжении обратной полярности кривая зависимости тока от напряжения выглядит так же, как соответствующая часть ВАХ полупроводникового диода.
     Описанный способ включения Т. (повышением напряжения между его СЭ) применяют в Т., называется вентилями-переключателями (реже неуправляемыми Т., или динисторами). Однако преимущественное распространение получили Т., включаемые подачей в цепь УЭ импульса тока определённой величины и длительности при положительной разности потенциалов между анодом и катодом (обычно их называют управляемыми вентилями или Т.). Особую группу составляют фототиристоры,перевод которых в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. Выключение Т. производят либо снижением тока через Т. до значения I yд, либо изменением полярности напряжения на его СЭ.
     В соответствии с назначением различают Т. с односторонней проводимостью, с двухсторонней проводимостью (симметричные), быстродействующие, высокочастотные, импульсные, двухоперационные и специальные.
     Полупроводниковый элемент Т. изготовляют из кремниевых монокристаллических дисков (пластин), вводя в Si добавки В, Al и Р. При этом в основном используют диффузионную и сплавную технологию. Конструктивно Т. выполняют ( рис. 4 ) в герметичном корпусе; для обеспечения механической прочности и устранения тепловых напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов расширения Si и Cu (материал электродов), между кристаллом и электродами устанавливают термокомпенсирующие вольфрамовые или молибденовые диски. Различают Т. штыревой конструкции — в металлических и металлокерамических корпусах, прижимные (с отводом тепла с одной стороны Т.) и таблеточные (с двухсторонним отводом тепла). Основные конструкции Т. — таблеточная и штыревая. Т. на токи до 500 аизготовляют с воздушным охлаждением, на токи свыше 500 а —обычно с водяным.
     Современные Т. изготовляют на токи от 1 мадо 10 канапряжения от нескольких вдо нескольких кв;скорость нарастания в них прямого тока достигает 10 9 а/сек,напряжения — 10 9 в/сек,время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мксек,время выключения — от нескольких единиц до нескольких сотен мксек;кпд достигает 99%.
     Т. нашли применение в качестве вентилей в преобразователях электрической энергии (см. Преобразовательная техника, Тиристорный электропривод) ,исполнительных и усилительных элементов в системах автоматического управления,ключей и элементов памяти в различных электронных устройствах и т. п., где они совместно с др. полупроводниковыми приборами к середине 70-х гг. 20 в. в основном вытеснили электронные (электровакуумные) и ионные (газоразрядные и ртутные) вентили.
     Лит.:Тиристоры. (Технический справочник), пер. с англ., 2 изд., М., 1971; Кузьмин В, А., Тиристоры малой и средней мощности, М., 1971.
      Ю. М. Иньков, А. А. Сакович.
   Рис. 4. Управляемый тиристор (в разрезе): 1 — основание (силовой электрод); 2 — полупроводниковый кристалл; 3 — фторопластовое кольцо; 4 — гибкий внутренний провод; 5 — крышка; 6 — изолятор крышки; 7 — стержень крышки; 8 — гибкий наружный вывод (силовой электрод); 9 — управляющий электрод; 10 — наконечник наружного вывода.
   Рис. 5 (в, г). Общий вид тиристоров: в — прижимного в металлокерамическом корпусе; г — штыревого в металлокерамическом корпусе в сборе с охладителем.
   Рис. 3. Схематическое изображение тиристора в виде двух включенных навстречу друг другу транзисторов: Т — транзистор; Э — эмиттер; Б — база; К — коллектор; i э— эмиттерный ток; i к— коллекторный ток; i кo— ток коллекторного перехода; R н— сопротивление внешней цепи; U пp— прямое напряжение на тиристоре.
   Рис. 1. Схематическое изображение тиристора: А — анод; К — катод; УЭ — управляющий электрод; П — электронно-дырочный переход; R н— сопротивление внешней цепи; U пp— прямое напряжение на тиристоре.
   Рис. 5 (а, б). Общий вид тиристоров: а — штыревого в металлическом корпусе; б — таблеточного в керамическом корпусе.
   Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора (вентиля-переключателя): участок ОА соответствует состоянию тиристора с низкой проводимостью, участок БГ — с высокой проводимостью.

электропривод,в котором режим работы его исполнительного двигателя (ИД) или иного исполнительного механизма (ИМ) регулируется преобразовательным устройством (ПУ) на тиристорах (см. Преобразовательная техника ) .
     В Т. э. переменного тока в качестве ИД чаще всего применяют асинхронные и синхронные трёхфазные электродвигатели, режим работы которых можно регулировать изменением частоты и амплитуды напряжения, подводимого к статору, а в случае синхронного двигателя — также изменением тока в обмотке возбуждения. В Т. э. этого типа, питающихся от источника переменного тока, регулирующим ПУ обычно служит тиристорный преобразователь частоты,выполненный либо с промежуточным звеном постоянного или переменного тока, либо по схеме с непосредственной связью. При питании таких Т. э. от источника постоянного тока в качестве ПУ используют автономный инвертор.Реверсирование ИД (см. Реверсивный электропривод ) в Т. э. переменного тока осуществляют, изменяя последовательность чередования фаз напряжения, подводимого к статору.