(2)
Здесь
h -
Планка постоянная, m -масса электрона, j - потенциал работы выхода металла,
t(y) и J(y) - табулированные функции аргумента
. Подставив значения констант и положив
t
2(
y) » 1,1, а J(
y)
» 0,95-1,03
y
2,получим из формулы (2) приближённое соотношение:
(3)
(величины j, Еи j соответственно в а/см 2, в/сми эв) .Значения lg jдля некоторых Еи j приведены в таблице.
| j = 20 | j = 4,5 | j = 6,3 | |||
| Е •10 –7 | lg j | Е• 10 –7 | lg j | Е• 10 –7 | lg j |
| 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 | 2,98 4,45 5,49 6,27 6,89 7,40 7,82 8,16 8,45 | 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 12,0 | –3,33 1,57 4,06 5,59 6,62 7,36 7,94 8,39 8,76 9,32 | 2,0 4,0 6,0 8,0 10,0 12,0 14,0 16,0 18,0 20,0 | –12,90 –0,88 3,25 5,34 6,66 7,52 8,16 8,65 9,04 9,36 |
Формула (2) получена в предположениях, что температура Т= 0 К и что вне металла в отсутствие поля на электроны действуют только силы зеркального изображения (см. Работа выхода ) .Форма потенциального барьера для этого случая показана на рис. 1 . Прозрачность барьера Dможет быть рассчитана по методу Венцеля - Крамерса - Бриллюэна. Несмотря на упрощения, теория Фаулера - Нордхейма хорошо согласуется с экспериментом.
На практике обычно измеряют зависимость тока I = jS( S- площадь эмитирующей поверхности) от напряжения V: Е =a V(a - так называемый полевой множитель). Т. э. металлов характеризуется высокими предельными плотностями тока до величин j ~10 10 а/см 2,что объясняется теорией Фаулера - Нордхейма. Лишь при j~ 10 6-10 -9 а/см 2имеют место отклонения от формулы (2), связанные с влиянием объёмного заряда или же с деталями формы потенциального барьера вблизи поверхности металла. Неограниченное повышение напряжения приводит при j ~10 8-10 10 а/см 2к электрическому пробою вакуумного промежутка и гибели эмиттера, которому предшествует интенсивная кратковременная взрывная эмиссия электронов.
Т. э. слабо зависит от температуры. Малые отклонения от формулы (2) с ростом температуры Тпропорциональны T 2:
. (4)
Формула (4) верна с точностью до 1% для приращений тока Ј 18%. Для больших изменений тока применяют более громоздкие формулы и графики, рассчитанные на ЭВМ. С ростом температуры и понижением Етак называемая термоавтоэлектронная эмиссия смыкается с термоэлектронной эмиссией,усиленной полем ( Шотки эффектом ) .
Энергетический спектр электронов, вылетающих из металла при Т. э., узок ( рис. 2 ).
Полуширина s распределения электронов по полным энергиям E(в эв) при Т =0 К определяется формулой:
(5)
При j = 4,4 эв s изменяется от 0,08 до 0,2 эв(для изменений jот 0 до 7). С повышением Тs Т возрастает, в частности при 300 К (и тех же изменениях j) s Т изменяется от 0,17 до 0,3 эв.Характер энергетического распределения электронов отклоняется от теоретического в случае сложной конфигурации Ферми поверхности или при наличии на поверхности металла адсорбированных атомов (особенно неметаллических). Если на поверхности металла есть адсорбированные органические молекулы (или их комплексы), то электроны проходят сквозь них, они играют роль волноводов для соответствующих волн де Бройля.При этом наблюдаются типичные для волноводов распределения электронной плотности по сечению волновода. Энергетические спектры электронов в этом случае отличаются аномалиями.
Отбор тока при низких температурах приводит к нагреву эмиттера, так как вылетающие электроны уносят энергию в среднем меньшую, чем Ферми энергия,тогда как электроны, вновь поступающие в металл, имеют именно эту энергию (Ноттингема эффект). С возрастанием Тнагрев сменяется охлаждением (инверсия эффекта Ноттингема) при переходе через некоторую температуру, соответствующую симметричному (относительно энергии Ферми) распределению вышедших электронов по полным энергиям. При больших токах, когда эмиттер разогревается джоулевым теплом, инверсия эффекта Ноттингема (частично) препятствует лавинному саморазогреву и стабилизирует ток Т. э.
Автоэлектронные эмиттеры изготавливают в виде поверхностей с большой кривизной (острия, лезвия, шероховатые края фольги и т.п.). В случае, например, острий с радиусом закругления 0,1-1 мкмнапряжения ~ 1-10 квобычно бывает достаточно для создания у поверхности острия поля Е~ 10 7 в/см.Для отбора больших токов применяются многоострийные эмиттеры.
Стабильность тока Т. э. обеспечивается постоянством распределения j и a вдоль поверхности эмиттера. Обе величины могут изменяться под влиянием адсорбции и миграции атомов как посторонних веществ, так и материала эмиттера. Локальные a возрастают при миграции материала поверхности в присутствии сильного электрического поля. В пространстве катод - анод и на поверхности анода электронный пучок создаёт положительные ионы, которые бомбардируют эммитер, разрушая его поверхность. Поэтому повышение стабильности Т. э. связано с улучшением вакуума и очисткой электродов, использованием импульсного напряжения, умеренным подогревом эмиттера для защиты от адсорбции остаточных газов и заглаживания дефектов в местах удара ионов. В сверхвысоком вакууме (где поверхность эмиттера остаётся чистой в течение часов или суток) была исследована Т. э. монокристаллов практически всех тугоплавких металлов, а также химических соединений с металлической электропроводностью ZrC, LaB 6и др. Наиболее полно изучена Т. э. W, Мо и Re.
Применения Т. э. металлов связаны с возможностью получения больших токов либо интенсивных электронных пучков. Холодные металлические катоды перспективны и используются в сильноточных устройствах: для получения рентгеновских вспышек или электронных пучков, выводимых наружу сквозь тонкую фольгу; для накачки в квантовых генераторах;для формирования электронных сгустков при коллективном ускорении тяжёлых ионов (см. Ускорители заряженных частиц ) .Нелинейность вольтамперной характеристики приборов с Т. э. используется в умножителях частоты и смесителях,в усилителях и детекторах сигналов СВЧ и т.д. Автоэлектронный эмиттер как интенсивный точечный источник электронов применяется в растровых электронных микроскопах.Он перспективен в рентгеновской и электронной микроскопии, в рентгеновских микроанализаторах и электроннолучевых приборах высокого разрешения. Автоэлектронные катоды перспективны в микроэлектронике и как чувствительные датчики изменения напряжения. Важное значение имеет также Т. э. из металла в диэлектрик (см. Диэлектрическая электроника ) .Сочетание автоэлектронного эмиттера и анода, совмещенного с люминесцирующим экраном, образует эмиссионный электронный микроскоп. На его экране можно наблюдать угловое распределение электронов Т. э. с острия при увеличении ~ 10 5-10 6и разрешающей способности 20-60 Е (см. Электронный проектор ) .
Т. э. полупроводников изучена менее полно. Она характеризуются более сложными зависимостями плотности тока jот поля Еи j и энергетических спектров электронов. При Т. э. полупроводников электрическое поле, проникая в кристалл, смещает энергетические зоны и локально изменяет концентрации носителей заряда и их энергетические распределения. Кроме того в полупроводниках концентрация электронов проводимость меньше, чем в случае металлов, что ограничивает величину j.Внешнее воздействия, сильно влияющие на концентрацию электронов (температура, освещение и др.), также заметно изменяют j.Вольтамперные зависимости j( E) и энергетические спектры электронов отражают зонную структуру полупроводников. Ток, текущий через полупроводник, может перераспределять потенциал на образце и влиять на энергетическое распределение электронов.
Туннельные полупроводниковые эмиттеры, реагирующие на свет, перспективны как чувствительные приёмники инфракрасного излучения.Многоострийные системы таких эмиттеров могут служить основой для мозаичных систем в преобразователях инфракрасных изображений. В некоторых случаях, когда вольтамперные характеристики полупроводника всецело определяются его объёмными свойствами, jслабо зависит от Еи j. При этом точечный не накаливаемый источник электронов может длительно и стабильно работать даже в относительно невысоком вакууме.
Лит.:Wood R. W., «Phus. Rev.», 1897, v. 5,.№ 1; Millikan R. A., Lauritsen С. С., «Phys. Rev.», 1929, v. 33, № 4, р. 598; Fowler R. H., Nordheim L., «Proc. Poy. Soc.», 1928, ser. A, v. 119, № 781, p. 173; Nordheim L., «Phys. Zs.», 1929, № 7, s. 177; Елинсон М. И., Васильев Г. Ф., Автоэлектронная эмиссия, М., 1958; Ненакаливаемые катоды, под ред. М. И. Елинсона, М., 1974; Фишер Р., Нойман Х. Автоэлектронная эмиссия полупроводников, пер. с нем., М., 1971.
В. Н. Шредник.
Рис. 2. Энергетический спектр электронов, испускаемых при туннельной эмиссии для разных температур Ти электрических полей Е; j = 4,5 эв.
Рис. 1. Потенциальная энергия uэлектрона вблизи поверхности металла ( х- расстояние от поверхности); Е 1- в отсутствии электрического поля; Е 2- в однородном внешнем электрическом поле; Е 3- суммарная потенциальная энергия электрона; Е F- энергия Ферми металла; Х 2- Х 1- ширина потенциального барьера в присутствии поля.
Туннельный диод
Тунне'льный дио'д,двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, в котором имеется очень узкий потенциальный барьер, препятствующий движению электронов; разновидность полупроводникового диода.Вид вольтамперной характеристики (ВАХ) Т. д. определяется главным образом квантово-механическим процессом туннелирования (см. Туннельный эффект ) ,благодаря которому электроны проникают сквозь барьер из одной разрешенной области энергии в другую. Изобретение Т. д. впервые убедительно продемонстрировало существование процессов туннелирования в твёрдых телах. Создание Т. д. стало возможно в результате прогресса в полупроводниковой технологии, позволившего создавать полупроводниковые материалы с достаточно строго заданными электронными свойствами. Путём легирования полупроводника большим количеством определённых примесей удалось достичь очень высокой плотности дырок и электронов в р - и n- областях, сохранив при этом резкий переход от одной области к другой (см. Электронно-дырочный переход ) .Ввиду малой ширины перехода (50-150 Е) и достаточно высокой концентрации легирующей примеси в кристалле, в электрическом токе через Т. д. доминируют туннелирующие электроны. На рис. 1 приведены упрощённые энергетические диаграммы для таких р - n -переходов при четырёх различных напряжениях смещения U.При увеличении напряжения смещения до U 1межзонный туннельный ток ( i tна рис. 1 , б) возрастает. Однако при дальнейшем увеличении напряжения (например, до значения U 2, рис. 1 , в) зона проводимости в n-oбласти и валентная зона в р-области расходятся, и ввиду сокращения числа разрешенных уровней энергии для туннельного перехода ток уменьшается - в результате Т. д. переходит в состояние с отрицательным сопротивлением.При напряжении, достигшем или превысившем U 3( рис. 1 , г) ,как и в случае обычного р -n-перехода, будет доминировать нормальный диффузионный (или тепловой) ток.
Первый Т. д. был изготовлен в 1957 из германия;однако вскоре после этого были выявлены др. полупроводниковые материалы, пригодные для получения Т. д.: Si, InSb, GaAs, InAs, PbTe, GaSb, SiC и др. На рис. 2 приведены ВАХ ряда Т. д. В силу того что Т. д. в некотором интервале напряжений смещения имеют отрицательное дифференциальное сопротивление и обладают очень малой инерционностью, их применяют в качестве активных элементов в высокочастотных усилителях электрических колебаний, генераторах и переключающих устройствах.
Л. Эсаки.
От редакции.Т. д. был предложен в 1957 лауреатом Нобелевской премии Л. Эсаки,поэтому Т. д. называют также диодом Эсаки
Лит.:Esaki L., New phenomenon in narrow germanium р - n junctions, «Physical Review», 1958, v. 109, № 2; его же, Long journey into tunnelling, «Reviews of modern Physics», 1974, v. 46, № 2.
Рис. 2. Вольтамперные характеристики (ВАХ) туннельных диодов на основе Ge (1), GaSb (2), Si (3) и GaAs (4): U- напряжение смещения на туннельном диоде; I/ I m- отношение тока через диод к току в максимуме ВАХ.
Рис. 1. Энергетические диаграммы электронно-дырочного перехода туннельного диода при различных напряжениях смещения (О< U 1< U 2< U 3): E fpи E fh- уровни Ферми дырок и электронов; E g- ширина запрещённой зоны; W- ширина p- n-перехода; е- заряд электрона; i tи i d- туннельный и диффузионный токи.
Туннельный эффект
Тунне'льный эффе'кт,туннелирование, преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при Т. э. неизменной) меньше высоты барьера. Т. э. - явление существенно квантовой природы, невозможное в классической механике; аналогом Т. э. в волновой оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда, с точки зрения геометрической оптики, происходит полное внутреннее отражение.Явление Т. э. лежит в основе многих важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т.д.
Т. э. объясняется в конечном счёте неопределённостей соотношением (см. также Квантовая механика, Корпускулярно-волновой дуализм) .Классическая частица не может находиться внутри потенциального барьера высоты V,если её энергия Е < V,так как кинетическая энергия частицы р 2/2m = Е- Vстановится при этом отрицательной, а её импульс р -мнимой величиной ( m -масса частицы). Однако для микрочастицы этот вывод несправедлив: вследствие соотношения неопределённостей фиксация частицы в пространственной области внутри барьера делает неопределённым её импульс. Поэтому имеется отличная от нуля вероятность обнаружить микрочастицу внутри запрещенной, с точки зрения классической механики, области. Соответственно появляется определённая вероятность прохождения частицы сквозь потенциальный барьер, что и отвечает Т. э. Эта вероятность тем больше, чем меньше масса частицы, чем уже потенциальный барьер и чем меньше энергии недостаёт частице, чтобы достичь высоты барьера (то есть чем меньше разность V - E) .Вероятность прохождения сквозь барьер представляет собой главный фактор, определяющий физические характеристики Т. э. В случае одномерного потенциального барьера такой характеристикой служит коэффициент прозрачности барьера, равный отношению потока прошедших сквозь него частиц к падающему на барьер потоку. В случае трёхмерного потенциального барьера, ограничивающего замкнутую область пространства с пониженной потенциальной энергией ( потенциальную яму ) ,Т. э. характеризуется вероятностью wвыхода частицы из этой области в единицу времени; величина wравна произведению частоты колебаний частицы внутри потенциальной ямы на вероятность прохождения сквозь барьер. Возможность «просачивания» наружу частицы, первоначально находившейся в потенциальной яме, приводит к тому, что соответствующие уровни энергии частиц приобретают конечную ширину порядка hw( h -постоянная Планка), а сами эти состояния становятся квазистационарными.
Примером проявления Т. э. в атомной физике могут служить процессы автоионизации атома в сильном электрическом поле. В последнее время особенно большое внимание привлекает процесс ионизации атома в поле сильной электромагнитной волны. В ядерной физике Т. э. лежит в основе понимания закономерностей альфа-распада радиоактивных ядер: в результате совместного действия короткодействующих ядерных сил притяжения и электростатических (кулоновских) сил отталкивания, a-частице при её выходе из ядра приходится преодолевать трёхмерный потенциальный барьер описанного выше типа. Без Т. э. было бы невозможно протекание термоядерных реакций:кулоновский потенциальный барьер, препятствующий необходимому для синтеза сближению ядер-реагентов, преодолевается частично благодаря высокой скорости (высокой температуре) таких ядер, а частично - благодаря Т. э. Особенно многочисленны примеры проявления Т. э. в физике твёрдого тела: автоэлектронная эмиссия электронов из металлов и полупроводников (см. Туннельная эмиссия ) ;явления
в полупроводниках, помещенных в сильное электрическое поле (см. Туннельный диод ) ;миграция валентных электронов в кристаллической решётке (см. Твёрдое тело ) ;эффекты, возникающие на контакте между двумя сверхпроводниками, разделёнными тонкой плёнкой нормального металла или диэлектрика (см. Джозефсона эффект ) и т.д.
Лит.:Блохинцев Д. И., Основы квантовой механики, 4 изд., М., 1963; Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М., Квантовая механика. Нерелятивистская теория, 3 изд., М., 1974 (Теоретическая физика, т. 3).
Д. А. Киржниц.
Тунское озеро
Ту'нское о'зеро(Thunersee), озеро в Швейцарии, в северных предгорьях Бернских Альп, на высоте 558 м.Расположено в тектонической котловине; имеет крутые залесённые берега. Площадь 47,8 км 2,глубина до 217 м.Через Т. о. и расположенное выше Бриенцское озеро протекает р. Ааре (приток Рейна). Замерзает на 6-7 мес.Судоходство. Близ Т. о. - г. Тун; на берегах - курорты (Шпиц, Хильтерфинген и др.).
Тунха
Ту'нха(Tunja), город в Колумбии, на Панамериканском шоссе, административный центр департамента Бояка. 77 тыс. жителей (1971). Железнодорожная станция. Текстильная промышленность. В районе - добыча изумрудов, каменного угля. Т. основан в 1539. Город сохранил прямоугольную планировку и облик колониального периода. Памятники архитектуры - ренессансный собор (1569-1600, архитектор П. де Соса, Б. Каррьон), монастырь Санто-Доминго (с 1551, ныне при нём музей религиозного искусства) с украшенной богатейшим резным декором капеллой Нуэстра Сеньора дель Росарио (см. илл. ), многочисленные дома 16-17 вв. с галереями во внутренних дворах, потолками артесонадо,порталами в стиле платереско и эрререско.
Лит.:Salamanca Aguilera R., Guнa histо'rica ilustrada de Tunja, Bogotа', [1939].
Тунха. Фасад собора. 1598-1600. Архитектор Б. Каррьон.
Резной декор капеллы Нуэстра Сеньора дель Росарио в Тунхе. 1682-89.
Тунхуа
Тунхуа',город в Китае, в провинция Гирин (Цзилинь). 300 тыс. жителей (1971). Металлургия, металлообработка. Вблизи - добыча железной руды и каменного угля.
Тунцы
Тунцы'(Thunnus), род рыб семейства скумбриевых.Ряд ихтиологов выделяют Т. в отдельное семейство с несколькими родами. Тело удлинённое, веретенообразное. Тонкий хвостовой стебель с каждой стороны имеет большой кожистый киль. Позади спинного и анального плавников несколько дополнительных плавничков. Т. отличаются от др. рыб сильным развитием кровеносных сосудов кожи, боковых мышц тела и так называемых красных мышц, прилегающих к позвоночнику. Эта особенность - приспособление, обеспечивающее быстрое и продолжительное плавание. 7 видов, в тропических и субтропических водах Атлантического, Тихого и Индийского океанов. В СССР - в Чёрном, Азовском и Баренцевом (редко) морях встречается атлантическом подвид сине-пёрого Т. (Th. thynnus atlanticus), достигающий в длину 3 ми веса до 600 кг; в Японском море - его восточный подвид (Th. th. orientalis) и, изредка, длинноперый Т. (Th. alalunga). Т. - теплолюбивые стайные пелагические рыбы, совершающие миграции большой протяжённости. Питаются мелкими рыбами, головоногими моллюсками и пелагическими ракообразными. Имеют большое промысловое значение. Малыми Т. называют представителей трёх др. родов семейства скумбриевых.
Лит.:Никольский Г. В., Частная ихтиология, 3 изд., М., 1971; Жизнь животных, т. 4, ч. 1, М., 1971.
З. В. Красюкова.
Туолба
Туо'лба,река в Якутской АССР, правый приток р. Лены. Длина 395 км,площадь бассейна 15 800 км 2.Берёт начало на северо-западной оконечности Алданского нагорья; в устье разбивается на рукава. Питание смешанное, с преобладанием дождевого. Средний расход воды в 43 кмот устья 62,3 м 3/сек.Замерзает в октябре, вскрывается в мае.
Туорт Фредерик
Туо'рт(Twort) Фредерик (22.10.1877, Камберли, Англия, - 20.3.1950, там же), английский микробиолог. Член Лондонского королевского общества (1929). Получил медицинское образование в больнице Сент-Томас (1900) и в 1901-02 работал там же. В 1902-09 помощник бактериолога Лондонской больницы. С 1909 директор Брауновского ветеринарного института и профессор бактериологии Лондонского университета. Основные работы по культивированию микроорганизмов. Первым (1908) применил селективный метод для получения чистой культуры бактерий. Впервые (1912) установил (совместно с Дж. Ингремом) необходимость для роста некоторых микроорганизмов ростового фактора (витамина К). В 1915 описал разрушение гнойного стафилококка перевиваемым фильтрующимся агентом. Тем самым он впервые открыл вирус бактерий, названный Ф. Д'Эреллем в 1917 бактериофагом.
Туостах
Туоста'х,река в Якутской АССР, правый приток р. Адыча (бассейн Яны). Длина 271 км,площадь бассейна 20000 км 2.Образуется при слиянии рр. Хара-Салаа и Бодымба, берущих начало в хребте Черского. Питание преимущественно дождевое. Замерзает в октябре, вскрывается в мае - начале июня. В бассейне Т. более 40 наледей (общая площадь свыше 77 км 2) .
Тупайи
Тупа'йи(Ttipaiidae), семейство полуобезьян отряда приматов. Длина тела 10-25 см,хвоста - 14-20 см,весят от 30-60 г(карликовая Т.) до 350 г(урогале). Конечности короткие, большие пальцы не противопоставляются остальным, на пальцах - серповидные когти. Зубов 38.
Мех густой, чаще темно-бурый. Близки к лемурам,но по ряду признаков сходны с прыгунчиками, поэтому многие учёные относили Т. к насекомоядным. 5 родов, объединяющих 18 видов. Обитают в тропических дождевых и горных лесах Индостана, Индокитая, на острове Хайнань и многих островах Малайского архипелага до Западных Филиппин. Т. ведут дневной образ жизни, живут парами и по одиночке на деревьях, в зарослях кустарников, часто на земле. Питаются насекомыми и плодами. Рождают 1-4 детёнышей.
Обыкновенная тупайа.
Тупак Амару (ок. 1740-1781)
Тупа'к Ама'ру(настоящее имя Хосе Габриель Кондорканки; Condorcanqui) (около 1740-1781), руководитель восстания индейцев Перу против гнёта испанских колонизаторов и местных помещиков-креолов. Началось восстание в ноябре 1780 в деревне Тунгасука (провинция Тинта) и вскоре охватило всю страну. Проходило под лозунгами независимости и восстановления инкского государства. Армия восставших (достигавшая 60 тыс.) нанесла испанцам ряд поражений (особенно крупное - при Сангарара близ Куско). В апреле 1781 испанцы нанесли ответный удар повстанцам близ Чекакупе. Т. А. был захвачен в плен и казнён вместе с др. руководителями восстания. Восстание продолжалось до 1783. Оказало большое влияние на дальнейшее развитие освободительное движения в испанских колониях.
Лит.:Lewin В., La rebeliо'n de Търас Amaru у los origenes de la emancipaciо'n americana, t. 1-2, La Habana, [1973].
Тупак Амару (ум. 1571)
Тупа'к Амару'(Tupac Amaru) (умер 1571), руководитель борьбы индейцев Перу против испанских завоевателей. В 1571 Т. А. возглавил восстание индейцев Куско с целью восстановления государства инков.Т. А. был захвачен в плен и казнён. Жестокая расправа над ним вызвала возмущение индейского населения, и оно вновь поднялось на борьбу. Имя Т. А. принимали вожди многих индейских восстаний андских стран, оно являлось символом независимости индейцев.
Тупи-гуарани
Тупи'-гуарани',одна из наиболее крупных языковых семей индейцев Южной Америки (см. Индейские языки ) .Языки Т.-г. делятся на 2 группы: северную - тупи, послужившую основой межплеменного языка после завоевания Бразилии европейцами (так называемой lingua geral), и южную - гуарани. На гуарани говорит значительная часть населения Парагвая. На языках Т.-г. говорят племена: каингуа, гуаяки, чиригуано, оямпи, эмерильоны, апиака, мундуруку, кавахиб, сирионо и многих др., живущие в центральной части Южной Америки от побережья Бразилии до восточных склонов Анд и от Гвианы и нижней Амазонки до Уругвая. Общая численность этих племён, по приблизительным подсчётам, около 200 тыс. чел. (1970). Занятия: охота, рыбная ловля, примитивное подсечное земледелие; часть работает сезонными рабочими на плантациях и в поместьях.