Лит.:Письменники Радянської України. Бioбiблioграфiчний довiдник, Kиїв, 1970; [Некролог], «Литературная газета», 1975. 13 авг.
      С. А. Крыжановский.

пирамиды плоскостью, параллельной основанию. Объём У. п. равен , где s 1и s 2– площади оснований, h– высота (расстояние между основаниями).
   К ст. Усечённая пирамида.

призмы плоскостью, непараллельной основанию. Объём У. п. равен V = lQ,где l –длина отрезка, соединяющего центры тяжести оснований, Q– площадь сечения призмы плоскостью, перпендикулярной к этому отрезку.

конуса плоскостью, параллельной основанию ( рис. ). Объём У. к. равен ,где r 1и r 2 радиусы оснований, h –высота.
   К ст. Усечённый конус.

цилиндра плоскостью, непараллельной основанию. Объём круглого У. ц. равен , где h 1 и h 2 наибольший и наименьший отрезки образующей цилиндра, r– радиус основания цилиндра.

«Просвещение» и газете «Правда».В 1914 бежал из ссылки, эмигрировал в Австрию, где был арестован и заключён в концлагерь. С конца 1915 жил в Швейцарии. После Февральской революции 1917 возвратился в Россию вместе с В. И. Лениным. С апреля 1917 член Московского комитета РСДРП (б), член Исполкома Моссовета, большевистской фракции Городской думы. Делегат 6-го съезда РСДРП (б). В октябрьские дни 1917 член оперативного штаба, занимавшегося военно-техническими делами, член Московского ВРК. В марте 1918 направлен в Западную Сибирь для организации снабжения хлебом Москвы. С мая 1918 член Военно-революционного штаба в Омске, с июня – председатель Революционного штаба в Тюмени. Погиб в бою.
     Лит.:Герои Октября, М., 1967; Рощевский П. И., Никифорова М. М., Г. А. Усиевич, в сборнике: Сквозь грозы, Свердловск, 196.7.
   Г. А. Усиевич.

Кона,жена Г. А. Усиевича.Участница Октябрьской революции 1917 и Гражданской войны 1918–20. Окончила институт красной профессуры (1932). Печаталась с 1928. Автор книг «Владимир Маяковский» (1950), «Ванда Василевская» (1953); «Пути художественной правды» (1958), многих статей по вопросам советской литературы.

антенны.2) В ботанике У. (cirrhi) – органы лазящих растений, обычно нитевидные, служащие для прикрепления к др. растениям или иным предметам. У. – результат метаморфоза побегов, листьев или их частей, иногда ветвей соцветий или воздушных корней. У. обвиваются вокруг предметов и спирально закручиваются (см. Гаптотропизм ) ,иногда на концах У. развиваются особые дисковидные присоски. У. обычны у лиан, в том числе у винограда, тыквенных и др.

несущих конструкциях последние перестают удовлетворять требованиям нормальной эксплуатации. У. к. нередко оказывается экономически более целесообразным, чем строительство нового здания (сооружения). Иногда У. к. вызывается и др. соображениями, например необходимостью сохранения зданий, имеющих историческую или архитектурную ценность. У. к.. производят, как правило, посредством увеличения сечений элементов или изменения схемы конструкции. Методы У. к. определяются видом и материалом конструкций, а также необходимой степенью увеличения их несущей способности. В некоторых случаях производится усиление оснований и фундаментов, которое обычно связано с надстройкой существующих зданий или увеличением действующих на них эксплуатационных нагрузок.

полупроводника ультразвуковая волна усиливается, когда скорость дрейфа носителей тока в направлении волны превысит фазовую скорость последней. Физическую природу У. у. проще всего понять на примере кристалла полупроводника, обладающего пьезоэлектрическим эффектом, – т. н. пьезополупроводника (см. Пьезоэлектричество ) .Вследствие пьезоэффекта проходящая по кристаллу упругая волна сопровождается электрическим полем, которое взаимодействует с носителями тока в полупроводнике – электронами и дырками.Это приводит к их перераспределению в пространстве и образованию области с повышенной концентрацией носителей – пространственного объёмного заряда. Если при этом к образцу приложено электрическое поле E d,создающее дрейф объёмного заряда со скоростью большей, чем фазовая скорость упругой волны с, то носители тока, обгоняя волну, будут отдавать ей энергию, в результате чего произойдёт усиление ультразвуковой волны. Аналогичный процесс происходит в лампе бегущей волны. В полупроводниках, не обладающих пьезоэффектом, взаимодействие упругой волны с носителями тока осуществляется через деформационный потенциал, т. е. непосредственно через взаимодействие электронов с фононами,которое характеризует изменение энергии электрона в зоне проводимости под действием упругой деформации решётки. Сила, действующая на электрон со стороны деформированной решётки, пропорциональна квадрату частоты волны w, поэтому У. у. в обычных полупроводниках эффективно только на гиперзвуковых частотах w > 10 9 гц(см. Гиперзвук ) .
     На малых частотах, когда длина свободного пробега носителей тока lмного меньше длины ультразвуковой волны l ,У. у. обусловлено объёмным зарядом, т. е. сверхзвуковым движением локального «сгустка» носителей тока одного знака, образованного самой волной; если же l/l>>1 – электроны (или дырки) почти свободны, образование объёмного заряда не происходит и усиление обусловлено когерентным излучением фононов отдельными носителями тока (подобно пучковой неустойчивости в газоразрядной плазме ) .
     Для У. у. в пьезополупроводящих кристаллах симметрия кристалла и направление распространения упругой волны должны быть такими, чтобы упругая волна с данной поляризацией сопровождалась продольным электрическим полем, т.к. взаимодействие носителей тока в полупроводнике наиболее эффективно с продольной компонентой вектора электрического поля волны. Усиление как продольных, так и поперечных волн может осуществляться в пьезополупроводящих кристаллах CdS, CdTe, Zn0, GaAs, CdSe.
     Основная трудность использования У. у. на опыте состоит в чрезмерном нагревании образцов в режиме усиления. Чтобы этого избежать, опыты по У. у. обычно проводят в импульсном режиме, прикладывая к образцу дрейфовое поле только на время ультразвукового импульса. В пьезополупроводниках У. у. может достигать весьма больших значений, при этом становятся существенными нелинейные явления, ограничивающие усиление. Практическое применение У. у. возможно для создания активных ультразвуковых линий задержки,усиления колебаний СВЧ (с использованием двойного акустоэлектрического преобразования), создания гиперзвуковых излучателей и приёмников. Исследование эффекта У. у. в полупроводниках (особенно в сильном магнитном поле) позволяет оценить и измерить ряд характерных параметров и констант твёрдого тела, в частности исследовать Ферми поверхность.
   
      Лит. см.при ст. Ультразвук.
      В. И. Пустовойт.

оптической плотности фотографического изображения для исправления в основном недодержанных или недопроявленных негативов.У. ф. противоположно ослаблению фотографическому,осуществляется путём наращивания металла (ртуть, серебро) или какого-либо непрозрачного соединения на серебряные зёрна изображения, а также путём окрашивания фотографических изображений.У. ф. на многослойных цветных фотографических материалах из-за большой сложности практического применения не находит.
     У. ф. основано на отбеливании металлического серебра изображения растворами сулемы, бихромата калия и др. (см. Отбеливание фотографическое ) с последующим «чернением» в энергично действующих проявителях, растворах аммиака и др. Эффект усиления связан с тем, что отбеливающие агенты восстанавливаются в тонкодисперсные порошки металлов (ртуть из сулемы) или труднорастворимые непрозрачные соединения (Cr 2O 3·CrO 3из бихромата калия), которые откладываются на зёрна металлического серебра изображения, создавая дополнительные оптические плотности. При отбеливании бромной медью, или бромидом меди (II), «чернение» осуществляют раствором нитрата серебра в качестве источника дополнительного металла, откладывающегося на изображении. Если У. ф. достигается тонированием, то негатив становится обычно коричневым. При этом его эффективная фотографическая непрозрачность увеличивается, т.к. слой поглощает синий свет, к которому наиболее чувствительны фотографические позитивные материалы.
     Различают три вида У. ф.: пропорциональное, субпропорциональное и сверхпропорциональное. При пропорциональном У. ф. оптические плотности увеличиваются пропорционально их первоначальным значениям (но очень малые плотности почти не увеличиваются); в случае субпропорционального У. ф. малые плотности увеличиваются значительно больше средних и больших; при сверхпропорциональном У. ф. большие плотности увеличиваются сильнее малых и средних.
     Лит.:Цыганов М. Н., Устранение дефектов фотографического изображения, М., 1957; Микулин В. П., Фотографический рецептурный справочник, 4 изд., М., 1972.
      Л. Д. Первова.

интенсификация функций.

направленного действия коэффициента передающей или приёмной антенны на её кпд (подробнее см. в ст. Антенна ) .

вынужденного излучения среды. Измеряется в м -1или в см -1 .

Усилитель электрических колебаний , Постоянного тока усилитель , Гидравлический усилитель , Электромашинный усилитель , Квантовый усилитель , Диэлектрический усилитель , Фотоэлектрический усилитель .

транзистор, электронную лампу, туннельный диод,параметрический диод, вариконд или индуктивности катушку с сердечником из ферромагнитного материала и др. При этом существенно, что управляемая мощность P 0(источника питания) заметно превышает управляющую P 1(источника усиливаемых колебаний), называется входной мощностью ( рис. 1 ). Часть P 0, отдаваемая во внешнюю цепь (в нагрузку), именуется выходной мощностью P 2В отличие от пассивной цепи, т. е. цепи, не содержащей источника энергии, например трансформатора электрического,коэффициент усиления мощности (коэффициент передачи) У. э. к. Kp = P 2 / P 1 >1 .Наряду с усилением мощности У. э. к. способен усиливать напряжение и ток источника колебаний, что оценивается коэффициентом усиления напряжения K u = U 2/ U 1и коэффициентом усиления тока K i = I 2/ I 1 ( U 1 , I 1и U 2 , I 2– напряжение и ток соответственно на входе и выходе У. э. к.).
     В одних приборах (например, лабораторных генераторах электрических колебаний) У. э. к. используется для усиления гармонических колебаний,в других (например, радиоприёмниках ) для усиления сигнала сложной формы, представляющего собой сумму множества гармонических колебаний с разными частотами и амплитудами. В оощем случае У. э. к. служит для повышения уровня сигналов различного вида, которое оценивается прежде всего величиной K p .Простейший У. э. к. выполняют на 1 усилительном элементе. При необходимости получения K p ,большего, чем такой У. э. к. может обеспечить, применяют более сложный У. э. к., содержащий несколько каскадов усиления.
      Классификация У. э. к. Взависимости от вида применяемых усилительных элементов различают транзисторные и ламповые У. э. к., диодные регенеративные усилители, параметрические усилители, диэлектрические усилители, магнитные усилители,усилители на клистронах и лампах бегущей волны, квантовые усилители(см. также Мазер ) .
     В транзисторных У. э. к., собранных на биполярных транзисторах или полевых транзисторах,в зависимости от того, какой из выводов усилительного элемента является общим для входа и выхода усилительного каскада, различают каскады с общим эмиттером или истоком ( рис. 2, а и б ), с общей базой или затвором ( рис. 2, б и г ) и с общим коллектором или стоком. В У. э. к. на биполярных транзисторах из-за наличия входного тока на управление транзистором приходится затрачивать определённую мощность. Этот недостаток в меньшей мере присущ каскадам с общим эмиттером (обладающим сравнительно большим входным сопротивлением – до нескольких ком) ,в большей – каскадам с общей базой (десятки ом) .Кроме того, первые обеспечивают K p ,на порядок больший, чем вторые (несколько тыс.), что является их основным преимуществом. Каскады с общей базой, однако, более устойчивы в работе, менее критичны к изменениям температуры или смене транзистора, вносят весьма небольшие нелинейные искажения; они используются преимущественно в оконечных ступенях мощных У. э. к. Полевой транзистор по своим основным параметрам (крутизне характеристик, входному сопротивлению, напряжению отсечки и др.) – весьма близкий аналог электронной лампы, используемой в ламповых У э. к. (по способу использования электродов ей аналогичны как полевой, так и биполярный транзисторы: катоду соответствуют исток и эмиттер, сетке – затвор и база, аноду – сток и коллектор). Это позволяет применять результаты исследований ламповых каскадов с общим катодом, сеткой или анодом к соответствующим каскадам на полевых транзисторах.
     Всякий У. э. к. характеризуется полосой пропускания частот. Если нижняя граничная частота полосы сколь угодно близка к нулю, имеем постоянного тока усилитель,если же она отделена от нуля конечным интервалом, – усилитель переменного тока (таков, например, видеоусилитель ) .Различают селективные (избирательные) и апериодические (неизбирательные) У. э. к. К селективным относятся усилители колебаний принимаемой (высокой) и промежуточной частот радиоприёмника; первые обычно содержат каскады с колебательными контурами (или резонаторами ) ,настроенными на одну и ту же частоту, вторые – полосовые электрические фильтры,позволяющие приблизить форму амплитудно-частотной характеристики У. э. к. к идеальной (прямоугольной). В группу апериодических У. э. к. входят усилители звуковой частоты, видеоусилители, усилители импульсных сигналов и др.
     Примеры практического использования У. э. к.Усилитель промежуточной частоты радиоприёмного устройства в одних вариантах содержит несколько каскадов с двухконтурными ( рис. 3 ) или более сложными электрическими фильтрами, в других он может представлять собой апериодический усилитель с высокоселективными системами во входной и выходной цепях.
     В мощных радиопередающих устройствах находит применение ламповый усилитель ВЧ. В оконечном каскаде такого У. э. к. ( рис. 4 ) нагрузкой служит передающая антенна, обычно связанная с усилителем посредством фидера.
     В транзисторных усилителях систем многоканальной связи ширина полосы зависит от числа телефонных каналов: при 300 каналах она лежит в пределах 60–1300 кгц,при 1920 – верхняя граница приближается к 9 Мгц,при 10800 – к 60 Мгц.Например, усилитель на 300 каналов ( рис. 5 ) обычно содержит 3 каскада с общим эмиттером, охваченных глубокой смешанной обратной связью (последовательно-параллельной по входу и выходу), позволяющей получить достаточно высокую выходную мощность и удовлетворить весьма жёстким требованиям, предъявляемым к допустимому уровню нелинейных искажений в системах дальней телефонной связи. При помощи такой обратной связи удаётся также реализовать не зависящие от усилительных свойств каскадов входное и выходное сопротивления и притом таких значений, которые обеспечивают согласованиесподключенными к У. э. к. линиями, например коаксиальными кабелями.
     Транзистор T 4, включенный по схеме с общей базой, соединён последовательно с транзистором T 3, образуя с ним т. н. каскодный усилит. каскад (с широкой полосой пропускания и повышенной линейностью).
     Операционный усилитель, применяемый для выполнения определённых математических операций – суммирования, дифференцирования, интегрирования и т.д., – представляет сооой усилитель постоянного тока с большим коэффициентом усиления K U(достигающим 10 5), обычно в интегральном исполнении (см. Микроэлектроника ) .В комплексе с внешними элементами, образующими цепь обратной связи, операционный усилитель получил название решающего усилителя,он используется в вычислительной технике. В операционном усилителе (