Страница:
Бернштейна.Основное различие между этими школами состоит в понимании фонемы и степени автономности Ф. по отношению к морфологии (роли морфологического критерия при определении тождества фонем). В европейской лингвистике проблемы Ф. разрабатывались в трудах членов
Пражского лингвистического кружка–главного фонологического центра в Европе – и Лондонской фонологической школы (родоначальник – Д. Джонс; с 40-х гг. называется Лондонской лингвистич. школой); особенно значителен вклад последней в развитие суперсегментной Ф. (труды Дж. Ферса, У. Аллена, Ф. Палмера, Р. Робинса и др.) в 40–60-е гг. 20 в. В меньшей мере Ф. разрабатывалась в рамках копенгагенской лингвистической школы (см.
Глоссематика
)
.На развитие Ф. оказали заметное влияние труды некоторых учёных, формально не принадлежавших к какой-либо школе, но идейно наиболее близких к концепции Пражского лингвистического кружка – А. Мартине, Е. Куриловича, Б. Мальмберга, А. Соммерфельта. Значительное развитие Ф. получила в амер.
дескриптивной лингвистике
(труды Л.
Блумфилда, Э.
Сепираи их учеников – М. Свадеша и У. Тводделла). Важное достижение американской Ф. (Ч. Хоккет, Г. Глисон, Б. Блок, Дж. Трейджер, К. Пайк и др.) – разработка метода дистрибутивного анализа (см.
Дистрибуция
).
Лит.:Трубецкой Н. С., Основы фонологии, пер. с нем., М., 1960; Мартине А., Принцип экономии в фонетических изменениях (Проблемы диахронической фонологии), пер. с франц., М., 1960; Зиндер Л. Р., Общая фонетика, Л., 1960; Бернштейн С. И., Основные понятия фонологии, «Вопросы языкознания», 1962, № 5; Якобсон Р., Халле М., Фонология н ее отношение к фонетике, в сборнике: Новое в лингвистике, в. 2, М., 1962; Бодуэн де Куртенэ И. А., Избранные труды по общему языкознанию, т. 1–2, М., 1963; Основные направления структурализма, М., 1964; Пражский лингвистический кружок, Сб. ст., М., 1967; Реформатский А. А., Из истории отечественной фонологии. Очерк. Хрестоматия, М., 1970; Щерба Л. В., Языковая система и речевая деятельность, Л., 1974; Martinet A., Phonology as functional phonetics, L., 1949; Hoeni gswald H. М., Language change and linguistic reconstruction, Chi., 1960; Jakobson R,, Selected writings, v. I, 's-Gravenhage, 1962; Chomsky N., Halle М., The sound pattern of English, N. Y., 1968; см. также лит. при ст. Фонема .
В. А. Виноградов.
Колебания кристаллической решётки
)
.Согласно законам квантовой механики, колебательная энергия атомов кристалла может принимать значения, равные
Лит.:Трубецкой Н. С., Основы фонологии, пер. с нем., М., 1960; Мартине А., Принцип экономии в фонетических изменениях (Проблемы диахронической фонологии), пер. с франц., М., 1960; Зиндер Л. Р., Общая фонетика, Л., 1960; Бернштейн С. И., Основные понятия фонологии, «Вопросы языкознания», 1962, № 5; Якобсон Р., Халле М., Фонология н ее отношение к фонетике, в сборнике: Новое в лингвистике, в. 2, М., 1962; Бодуэн де Куртенэ И. А., Избранные труды по общему языкознанию, т. 1–2, М., 1963; Основные направления структурализма, М., 1964; Пражский лингвистический кружок, Сб. ст., М., 1967; Реформатский А. А., Из истории отечественной фонологии. Очерк. Хрестоматия, М., 1970; Щерба Л. В., Языковая система и речевая деятельность, Л., 1974; Martinet A., Phonology as functional phonetics, L., 1949; Hoeni gswald H. М., Language change and linguistic reconstruction, Chi., 1960; Jakobson R,, Selected writings, v. I, 's-Gravenhage, 1962; Chomsky N., Halle М., The sound pattern of English, N. Y., 1968; см. также лит. при ст. Фонема .
В. А. Виноградов.
Колебания кристаллической решётки
)
.Согласно законам квантовой механики, колебательная энергия атомов кристалла может принимать значения, равные
, где
E
0
–энергия основного состояния,
–
Планка постоянная.Каждой волне можно поставить в соответствие
квазичастицу–Ф. Энергия Ф. равна:
, квазиимпульс
р =
k.Число
n
к
nследует трактовать как число Ф. Различают акустический и оптический Ф.; для акустического Ф. при
р® 0
E
= sp,где
s– скорость звука; для оптического Ф. при
р® 0
E
min
¹ 0 (у простых кристаллов с
r =1 оптического Ф. нет).
Ф. взаимодействуют друг с другом, с др. квазичастицами (
электронами проводимости,
магнонамии др.) и со статическими дефектами кристалла (с
вакансиями,
дислокациями,с границами кристаллитов, поверхностью образца, с чужеродными включениями). При столкновениях Ф. выполняются законы сохранения энергии и квазиимпульса. Последний является более общим, чем закон сохранения импульса (см.
Сохранения законы
)
,т.к. суммарный квазиимпульс сталкивающихся квазичастиц, в частности Ф., может изменяться на величину 2p
b,где
b –вектор обратной решётки. Такие столкновения называются процессами переброса, в отличие от нормальных столкновений (
b
=0). Возможность процесса переброса – следствие периодичности в расположении атомов кристалла.
Среднее число Ф.
определяется формулой Планка:
где
T– температура,
k –Больцмана постоянная. Эта формула совпадает с распределением частиц газа, подчиняющихся статистике Бозе – Эйнштейна, когда
химический потенциал
равен нулю (см.
Статистическая физика
)
.Равенство нулю химического потенциала означает, что число
N
ф> Ф. в кристалле не сохраняется, а зависит от температуры. Для всех
твёрдых телN
ф~
T
3при
Т® 0 и
N
ф~
Тпри
Т>> Q
д(Q
д–
Дебая температура
)
.Понятие Ф. позволяет описать тепловые и др. свойства кристаллов, используя методы кинетической теории
газов.Ф. в большинстве случаев представляют собой главный тепловой резервуар твёрдого тела. Теплоёмкость кристаллического твёрдого тела практически совпадает с теплоёмкостью газа Ф. Теплопроводность кристалла можно описать как теплопроводность газа Ф., теплосопротивление которого обеспечивается процессами переброса.
Рассеяние электронов проводимости при взаимодействии с Ф. – основной механизм электросопротивления
металлов
и
полупроводников.Способность электронов проводимости излучать и поглощать Ф. приводит к притяжению электронов друг к другу, что при низких температурах является причиной перехода ряда металлов в сверхпроводящее состояние (см.
Сверхпроводимость,
Купера эффект)
.Излучение Ф. возбуждёнными атомами и молекулами тел обеспечивает возможность безызлучательных электронных переходов (см.
Релаксация
)
.В релаксационных процессах в твёрдых телах Ф. обычно служат стоком для энергии, запасённой др. степенями свободы кристалла, например электронными.
Среднюю энергию газа Ф. (как и др. квазичастиц) можно характеризовать величиной, подобной температуре обычного газа. Однако благодаря сравнительно слабой связи Ф. с др. квазичастицами фононная (или решёточная) температура может отличаться от температуры др. квазичастиц (электронов проводимости, магнонов, экситонов). В аморфных (стеклообразных) телах понятие Ф. удаётся ввести только для длинноволновых акустических колебаний, мало чувствительных к взаимному расположению атомов.
Ф. называются также элементарные возбуждения в сверхтекучем
гелии,описывающие колебательное движение квантовой жидкости (см.
Сверхтекучесть
)
.
Лит.:Займан Дж., Электроны и фононы, пер. с англ., М., 1962; Косевич А. М., Основы механики кристаллической решетки, М., 1972; Рейсленд Дж., Физика фононов, пер. с англ., М., 1975.
М. И. Каганов.
