геодезической сети.
   
      Лит.см. при ст. Фотограмметрия.
      А. Н. Лобанов.
   Рис. 1. Фототеодолит «Геодезия».
   Рис. 2. Стереокамера СКИ-8.

фототеодолита и приборов для фотограмметрической обработки снимков. Фототеодолитом с концов базиса S 1и S 2( рис. 1 ) получают снимки P 1и P 2объекта, по которым с помощью стереокомпаратора или стереоавтографа определяют координаты отдельных точек и составляют цифровую модель или план объекта. Положение снимка, например P 1, в момент фотографирования определяют элементы внутреннего ориентирования: фокусное расстояние фотокамеры – fи координаты главной точки o 1x 0 , z 0 ,а также элементы внешнего ориентирования: координаты центра проекции S 1X s1, Y s1 , Z s1в системе OXYZи углы a 1, w 1, m 1.
     Различают общий случай съёмки, когда элементы ориентирования снимков имеют произвольные значения, и частные случаи, в которых направления оптической оси фотокамеры горизонтальны, a = w = m = 0, X s1= Y s1= Z s1 =0 , x 0= z 0 =0. К частным случаям относятся: конвергентный (y 1¹ y 2, рис. 2 ), параллельный (y 1= y 2) и нормальный (y 1= y 2= 90°).
     В общем случае между координатами точки объекта Ми координатами её изображений m 1и m 2на стереопаре P 1P 2 ( рис. 1 ) существует связь:
    X = X s1 + N
, Y
= Y s1 + N
, Z = Z s1 + N
,     (1)
   где
    ,     (2)
    B x, B y, B zпроекции базиса Вна оси координат, ,
,
 и , ,  – координаты точек m 1и m 2в системах S 1 XYZи S 1 XYZ,параллельных OXYZ,вычисляемые по формулам:
         (3)
     Здесь х, z –плоские координаты точки снимка в системе o 1 'x 1 z 1или o 2 'x 2 z 2 , a i, b 1c iнаправляющие косинусы, определяемые по углам a, w, m. Для параллельного случая съёмки формулы (1) принимают вид:
    ;
    ;
   
   а для нормального
    , , .
     Ф. с. применяется в геодезии, топографии и астрономии для построения и сгущения опорной геодезической основы, а также для составления планов местности. По снимкам ИСЗ и звёздного неба, полученным с помощью спутниковых фотокамер, создаётся геодезическая основа на всю территорию земного шара (см. Космическая триангуляция ) .
     Ф. с. широко используется и в др. областях науки и техники для решения многих задач, например в географии для изучения ледников и процесса снегонакопления на лавиноопасных склонах; в лесоустройстве и сельском хозяйстве для определения лесотаксационных характеристик, изучения эрозии почв; в инженерно-строительном деле при изыскании, проектировании, строительстве и эксплуатации различных сооружений ( рис. 3 ); в архитектуре для изучения особенностей сооружений, наблюдения за состоянием архитектурных ансамблей, отдельных зданий и памятников старины ( рис. 4 , 5 ); в промышленности для контроля установки каркаса турбин и прокатных станов и определения состояния дымовых труб; в исследованиях рек, морей и океанов для картографирования их поверхности и дна, а также для изучения подводного мира; в космических исследованиях для изучения поверхности Земли, Луны и др. небесных тел с ИСЗ и космических кораблей.
     Лит.:Лобанов А. Н., Фототопография, 3 изд., М., 1968; Рапасов П. Н., Составление карт масштаба 1: 2000 – 1: 25 000 методом комбинированной наземной и воздушной стереофотограмметрической съёмки, М., 1958; Киенко Ю. П., Аналитические методы определения координат в наземной стереофотограмметрии, М., 1972; Тюфлин Ю. С., Способы стереофотограмметрической обработки снимков, полученных с подвижного базиса, М., 1971: Итоги науки и техники. Геодезия и аэросъёмка, т. 10, М., 1975; Русинов М. М., Инженерная фотограмметрия, М., 1966; Сердюков В. М., Фотограмметрия в инженерно-строительном деле, М., 1970.
     А. Н. Лобанов.
   Рис. 4. Фронтальный план памятника Минину и Пожарскому (Москва, Красная площадь), составленный по фототеодолитным снимкам.
   Рис. 2. к ст. Фототеодолитная съёмка.
   Рис. 1. к ст. Фототеодолитная съёмка.
   Рис. 3. План поверхности водного потока модели гидротехнического сооружения, составленный по снимкам, полученным спаренной фотокамерой. Горизонтали проведены через 1 мм.
   Рис. 5. Фронтальный план Трапезной церкви Киево-Печерской лавры, составленный по фототеодолитным снимкам.

светолечение .

Нернста – Эттингсхаузена эффекта и фотомагнитоэлектрического эффекта, Ф. э. возникает независимо от наличия градиента температуры кристаллической решётки полупроводника и градиента концентрации носителей. Эдс имеет наибольшую величину в полупроводниках с малой эффективной массой носителей тока (например, в InSb при низких температурах). Используется для создания высокочувствительных малоинерционных приёмников СВЧ- и инфракрасного излучения,применяемых в радиоастрономии, космических исследованиях, спектроскопии, радиотеплолокации.
     Лит.:Электронный термомагнитный эффект, «Радиотехника и электроника», 1963, т. 8, в. 6, с. 994.
      Э. М. Эпштейн.

фото... и греч. tэpos – отпечаток, форма), способ безрастровой плоской печати иллюстраций, основанный на изменении физико-химических свойств светочувствительного слоя. Ф. была изобретена в 1855 франц. химиком А. Пуатвеном. Для изготовления печатной формы на основу (пластинку или фольгу) наносят светочувствительный раствор, в состав которого входят желатина, дихромат калия или аммония, и высушивают полученный слой. На этот слой копируют полутоновый негатив, в результате чего отдельные участки слоя задубливаются в разной степени. Затем пластину промывают водой для удаления непрореагировавшей соли; при этом слой набухает, приобретает складчатую структуру (явление ретикуляции); углубления между складками представляют собой печатающие элементы формы ( рис. ). На участках слоя, подвергшихся незначительному воздействию света, складки едва заметны, углубления между ними незначительны. При печатании краска заполняет только углубления между складками и на бумагу передаётся слой краски незначительной толщины. По мере увеличения степени задубленности слоя увеличиваются размер складок и глубина впадин между ними, следовательно, увеличивается толщина слоя краски, передаваемой на бумагу, а также суммарная запечатанная площадь. На максимально задубленных участках (в тёмных местах изображения) печатная краска покрывает всю поверхность слоя.
     Передача тональностей изображения в Ф. осуществляется путём изменения толщины слоя краски и размеров печатающих элементов, т. е. Ф. сочетает особенности глубокой печати и растровой. Для печати используются плоскопечатные машины, производительность которых до 1000 оттисков в смену; тиражеустойчивость формы около 1500 оттисков. Применяется также ротационная Ф. (как контактная, так и офсетная). В СССР разработаны состав и режим изготовления светочувствительного слоя на основе желатины, очувствлённой дихроматами, пригодного для использования в обычных офсетных однокрасочных машинах (см. Печатная машина ) .В качестве основы печатной формы используются листы алюминия толщиной 0,6–0,8 мм,а также тонкая фольга (для печати на малоформатных офсетных машинах). Нанесение светочувствительного слоя механизировано; производительность машин до 5000 оттисков в смену; тиражеустойчивость формы – около 10 тыс. оттисков.
     Ф. используется для воспроизведения с высокой точностью сложных художественных оригиналов (карандашные рисунки, фотографии, произведения масляной и акварельной живописи и т.п.), а также для иллюстрирования изданий, выпускаемых небольшими тиражами, но требующих большой точности воспроизведения иллюстраций. Широкому применению Ф. препятствует небольшая производительность.
     Лит.:Рудомётов М. Д., Опыт систематического курса по графическим искусствам, т, 1, СПБ, 1898; Котик Р. А., Павленко Л., Соколов П., Об идентичности оттисков при фототипии, «Полиграфия», 1974, №6.
      Р. А. Котик.
   Микрофотографии участков печатной формы (до нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — углубления между складками; 2 — 2 складки.
   Микрофотографии участков печатной формы (после нанесения краски): а — темные участки; б — светлые участки; 1 — краска.

тиристор,перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (см. Фотоэдс ) .В результате через р – n-переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.
     Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n-cтруктурой, обычно из кремния,расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n-эмиттером и с освещаемой р-базой.
     Пригодные для управления Ф. источники излучения – электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Ф. в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Ф.: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.
     Современные Ф. изготовляют на токи от нескольких мадо 500 аи напряжения от нескольких десятков вдо 3 кв.Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм) порядка 1–10 2 мвт.Ф. находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,
      В. М. Курцин.

транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего;служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Ф. представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину из Ge или Si, в которой при помощи особых технологических приёмов созданы 3 области, называемые, как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причём последняя, в отличие от транзистора, как правило, вывода не имеет. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внешнюю электрическую цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению (усилению) тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.
     Основными параметрами и характеристиками Ф., как и др. фотоэлектрических приборов (например, фотоэлемента, фотодиода) ,являются: 1) интегральная чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку), у лучших образцов Ф. (например, изготовленных по диффузионной планарной технологии ) она достигает 10 а/лм; 2) спектральная характеристика (зависимость чувствительности к монохроматическому излучению от длины волны этого излучения), позволяющая, в частности, установить длинноволновую границу применимости Ф.; эта граница (зависящая прежде всего от ширины запрещенной зоны полупроводникового материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм,для кремниевого – 1,1 мкм;3) постоянная времени (характеризующая инерционность Ф.) не превышает нескольких сотен мксек.Кроме того, Ф. характеризуется коэффициентом усиления первоначального фототока, достигающим 10 2–10 3.
     Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также его малые габариты и относительная простота конструкции позволяют широко использовать Ф. в системах контроля и автоматики – в качестве датчиков освещённости, элементов гальванической развязки и т.д. (см. Приёмники излучения, Приёмники света, Оптрон) .С 70-х гг. 20 в, разрабатываются полевые Ф. (аналоги полевых транзисторов ) .
   
      Лит.:Амброзяк А., Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов, пер. с польск., М., 1970.
      Ю. А. Кузнецов.

аэрофотосъёмке ) в горизонтальный аэроснимок заданного масштаба с целью составления фотоплана местности. На рис. 1 показана схема Ф.: Р –снимок, Е –горизонтальная (начальная) плоскость местности, a – угол наклона снимка, S– центр проекции, о –главная точка, J –главная точка схода, f –фокусное расстояние фотокамеры, S' –объектив, E' –экран. Изображение снимка на экране Ф. не будет отличаться от горизонтального снимка, если: 1) объектив находится в плоскости главного вертикала Q на дуге окружности с радиусом JS=  = Fp;2) экран параллелен прямой JS'и перпендикулярен к плоскости Q; 3) расстояние от объектива до экрана равно  = Fesinj, где Н –высота фотографирования над начальной плоскостью, 1: t –масштаб горизонтального снимка, j – угол между снимком и экраном, j = j е + j р , sinj p = , sinj e =
, F –
фокусное расстояние объектива; 4) главная плоскость объектива S'V,снимок и экран пересекаются по одной прямой; 5) расстояния dи d'от объектива до снимка и экрана вдоль главной оптической оси удовлетворяют уравнению оптики . Для выполнения этих условий Ф. имеют инверсоры, позволяющие сократить количество устанавливаемых в приборе элементов. Изображение, полученное на экране, фиксируется на фотобумагу. Наибольшее применение имеют Ф., изготовляемые нар. предприятием «Карл Цейс» (ГДР) – Seg-I, Seg-IV и Rectimat ( рис. 2 ), фирмой «Оптон» (ФРГ) – Seg-V и «Вильд» (Швейцария) – Е-4 .
   
      Лит.см. при ст. Фотограмметрия.
      А. Н. Лобанов.
   Рис. 2. Фототрансформатор Rectimat Цейса.